PXN6R8-60QLAJ Nexperia
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 1.47 EUR |
| 10+ | 0.91 EUR |
| 100+ | 0.62 EUR |
| 500+ | 0.49 EUR |
| 1000+ | 0.42 EUR |
| 3000+ | 0.35 EUR |
| 6000+ | 0.33 EUR |
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Technische Details PXN6R8-60QLAJ Nexperia
Description: NEXPERIA - PXN6R8-60QLAJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 70 A, 6800 µohm, MLPAK33, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 70A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 66W, Bauform - Transistor: MLPAK33, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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PXN6R8-60QLAJ | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PXN6R8-60QLAJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 70 A, 6800 µohm, MLPAK33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 66W Bauform - Transistor: MLPAK33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
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