PXN7R7-25QLJ Nexperia USA Inc.
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: PXN7R7-25QL/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.8A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 11.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 12.5 V
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Technische Details PXN7R7-25QLJ Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PXN7R7-25QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 11.8 A, 0.0066 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.7W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.7W, Bauform - Transistor: MLPAK33, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Trench, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0066ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote PXN7R7-25QLJ nach Preis ab 0.21 EUR bis 0.88 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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PXN7R7-25QLJ | Nexperia USA Inc. |
Description: PXN7R7-25QL/SOT8002/MLPAK33 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 12.5 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: MLPAK33 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 11.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.8A (Ta), 32A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 5317 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PXN7R7-25QLJ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PXN7R7-25QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 11.8 A, 0.0066 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Bauform - Transistor: MLPAK33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PXN7R7-25QLJ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PXN7R7-25QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 11.8 A, 0.0066 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.7W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Bauform - Transistor: MLPAK33 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0066ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PXN7R7-25QLJ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PXN7R7-25QLJ - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PXN7R7-25QLJ |
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: PXN7R7-25QL/SOT8002/MLPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 12.5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: MLPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 11.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.8A (Ta), 32A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: PXN7R7-25QL/SOT8002/MLPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 12.5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: MLPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 11.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.8A (Ta), 32A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 24+ | 0.88 EUR |
| 35+ | 0.62 EUR |
| 39+ | 0.55 EUR |
| 100+ | 0.48 EUR |
| 250+ | 0.44 EUR |
| 500+ | 0.42 EUR |
| 1000+ | 0.4 EUR |
| PXN7R7-25QLJ |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PXN7R7-25QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 11.8 A, 0.0066 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: NEXPERIA - PXN7R7-25QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 11.8 A, 0.0066 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.8A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
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Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
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Kanaltyp: n-Kanal
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 285+ | 0.88 EUR |
| 368+ | 0.63 EUR |
| 550+ | 0.39 EUR |
| 650+ | 0.33 EUR |
| 1000+ | 0.21 EUR |
| PXN7R7-25QLJ |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PXN7R7-25QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 11.8 A, 0.0066 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.8A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
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Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
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Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0066ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: NEXPERIA - PXN7R7-25QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 11.8 A, 0.0066 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
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Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
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Kanaltyp: n-Kanal
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3000 Stücke:
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 285+ | 0.88 EUR |
| 368+ | 0.63 EUR |
| 550+ | 0.39 EUR |
| 650+ | 0.33 EUR |
| 1000+ | 0.21 EUR |
| PXN7R7-25QLJ |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PXN7R7-25QLJ - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
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usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NEXPERIA - PXN7R7-25QLJ - MISCELLANEOUS MOSFETS
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SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.45 EUR |