| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 1.19 EUR |
| 10+ | 1.12 EUR |
| 100+ | 0.76 EUR |
| 500+ | 0.61 EUR |
| 1000+ | 0.54 EUR |
| 3000+ | 0.43 EUR |
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Technische Details PXP010-20QXJ Nexperia
Description: NEXPERIA - PXP010-20QXJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 17.1 A, 0.0084 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 4.3W, Bauform - Transistor: MLPAK33, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchMOS Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0084ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote PXP010-20QXJ nach Preis ab 0.51 EUR bis 1.3 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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PXP010-20QXJ | NEXPERIA |
 Description: NEXPERIA - PXP010-20QXJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 17.1 A, 0.0084 ohm, MLPAK33, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 4.3W Bauform - Transistor: MLPAK33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0084ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2700 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PXP010-20QXJ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PXP010-20QXJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 17.1 A, 0.0084 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 4.3W Bauform - Transistor: MLPAK33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0084ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2700 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PXP010-20QXJ |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PXP010-20QXJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 17.1 A, 0.0084 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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Produktpalette: TrenchMOS Series
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 194+ | 1.3 EUR |
| 231+ | 1.01 EUR |
| 287+ | 0.75 EUR |
| 500+ | 0.52 EUR |
| 1500+ | 0.51 EUR |
| PXP010-20QXJ |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PXP010-20QXJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 17.1 A, 0.0084 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: NEXPERIA - PXP010-20QXJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 17.1 A, 0.0084 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
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auf Bestellung 2700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 194+ | 1.3 EUR |
| 231+ | 1.01 EUR |
| 287+ | 0.75 EUR |
| 500+ | 0.52 EUR |
| 1500+ | 0.51 EUR |