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PXP010-20QXJ

PXP010-20QXJ Nexperia

PXP010-20QX.pdf Hersteller: Nexperia
MOSFETs SOT8002 P CHAN 20V
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Technische Details PXP010-20QXJ Nexperia

Description: NEXPERIA - PXP010-20QXJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 17.1 A, 0.0084 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 4.3W, Bauform - Transistor: MLPAK33, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchMOS Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0084ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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PXP010-20QXJ PXP010-20QXJ Hersteller : NEXPERIA PXP010-20QX.pdf Description: NEXPERIA - PXP010-20QXJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 17.1 A, 0.0084 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.3W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0084ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2700 Stücke:
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PXP010-20QXJ PXP010-20QXJ Hersteller : NEXPERIA PXP010-20QX.pdf Description: NEXPERIA - PXP010-20QXJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 17.1 A, 0.0084 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
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Dauer-Drainstrom Id: 17.1A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.3W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0084ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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PXP010-20QXJ Hersteller : NEXPERIA pxp010-20qx.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 10.8A 2-Pin DFN-BD T/R
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PXP010-20QXJ PXP010-20QXJ Hersteller : Nexperia USA Inc. PXP010-20QX.pdf Description: PXP010-20QX/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta), 37.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 10 V
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PXP010-20QXJ PXP010-20QXJ Hersteller : Nexperia USA Inc. PXP010-20QX.pdf Description: PXP010-20QX/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta), 37.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 10 V
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