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Technische Details PXP010-20QXJ Nexperia
Description: NEXPERIA - PXP010-20QXJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 17.1 A, 0.0084 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 4.3W, Bauform - Transistor: MLPAK33, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchMOS Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0084ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote PXP010-20QXJ nach Preis ab 0.65 EUR bis 1.51 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt | ||||||||||||
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PXP010-20QXJ | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
 Description: PXP010-20QX/SOT8002/MLPAK33Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta), 37.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 21W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: MLPAK33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 10 V |
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PXP010-20QXJ | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PXP010-20QXJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 17.1 A, 0.0084 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 4.3W Bauform - Transistor: MLPAK33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0084ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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PXP010-20QXJ | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PXP010-20QXJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 17.1 A, 0.0084 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 4.3W Bauform - Transistor: MLPAK33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0084ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2700 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PXP010-20QXJ | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: PXP010-20QX/SOT8002/MLPAK33 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta), 37.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 21W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: MLPAK33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 10 V |
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