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PXP015-30QLJ

PXP015-30QLJ Nexperia USA Inc.


PXP015-30QL.pdf Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: P-CHANNEL TRENCH MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 24.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.8mOhm @ 8.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 16W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 15 V
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Technische Details PXP015-30QLJ Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PXP015-30QLJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12.8 A, 0.0136 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 4.2W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 4.2W, Bauform - Transistor: MLPAK33, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Produktreihe Trench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0136ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0136ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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PXP015-30QLJ PXP015-30QLJ Hersteller : Nexperia USA Inc. PXP015-30QL.pdf Description: P-CHANNEL TRENCH MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 24.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.8mOhm @ 8.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 16W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 15 V
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PXP015-30QLJ PXP015-30QLJ Hersteller : Nexperia PXP015_30QL-2933421.pdf MOSFET PXP015-30QL/SOT8002/MLPAK33
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1000+ 0.52 EUR
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9000+ 0.42 EUR
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PXP015-30QLJ PXP015-30QLJ Hersteller : NEXPERIA PXP015-30QL.pdf Description: NEXPERIA - PXP015-30QLJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12.8 A, 0.0136 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0136ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
PXP015-30QLJ PXP015-30QLJ Hersteller : NEXPERIA PXP015-30QL.pdf Description: NEXPERIA - PXP015-30QLJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12.8 A, 0.0136 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 4.2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0136ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0136ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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PXP015-30QLJ Hersteller : NEXPERIA pxp015-30ql.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin MLPAK33 EP T/R
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