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PXP015-30QLJ

PXP015-30QLJ Nexperia

pxp015-30ql.pdf
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin MLPAK33 EP T/R
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Technische Details PXP015-30QLJ Nexperia

Description: NEXPERIA - PXP015-30QLJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12.8 A, 0.0136 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 4.2W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 4.2W, Bauform - Transistor: MLPAK33, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Produktreihe Trench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0136ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0136ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
PXP015-30QLJ PXP015-30QLJ Nexperia PXP015-30QL.pdf MOSFETs PXP015-30QL/SOT8002/MLPAK33
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PXP015-30QLJ PXP015-30QLJ NEXPERIA 3679935.pdf Description: NEXPERIA - PXP015-30QLJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12.8 A, 0.0136 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
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Qualifikation: -
MSL: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
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Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0136ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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PXP015-30QLJ PXP015-30QLJ NEXPERIA 3679935.pdf Description: NEXPERIA - PXP015-30QLJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12.8 A, 0.0136 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
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Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0136ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0136ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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Description: NEXPERIA - PXP015-30QLJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12.8 A, 0.0136 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0136ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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Description: NEXPERIA - PXP015-30QLJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12.8 A, 0.0136 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
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Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0136ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0136ohm
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