PXP3R7-12QUJ Nexperia USA Inc.
Hersteller: Nexperia USA Inc.Description: PXP3R7-12QU/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.7A (Ta), 98.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 18.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 6 V
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 10+ | 1.8 EUR |
| 100+ | 1.43 EUR |
| 500+ | 1.21 EUR |
| 1000+ | 0.99 EUR |
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Technische Details PXP3R7-12QUJ Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PXP3R7-12QUJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 18.7 A, 0.0032 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.8W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.8W, Bauform - Transistor: MLPAK33, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Trench Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0032ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm.
Weitere Produktangebote PXP3R7-12QUJ nach Preis ab 1.16 EUR bis 2.49 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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PXP3R7-12QUJ | Hersteller : Nexperia |
MOSFET PXP3R7-12QU/SOT8002/MLPAK33 |
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PXP3R7-12QUJ | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PXP3R7-12QUJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 18.7 A, 0.0032 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: MLPAK33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm |
auf Bestellung 1425 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PXP3R7-12QUJ | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PXP3R7-12QUJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 18.7 A, 0.0032 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.8W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: MLPAK33 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0032ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm |
auf Bestellung 1425 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PXP3R7-12QUJ | Hersteller : NEXPERIA |
Trans MOSFET P-CH 12V 18.7A 8-Pin MLPAK33 EP |
Produkt ist nicht verfügbar |
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PXP3R7-12QUJ | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: PXP3R7-12QU/SOT8002/MLPAK33 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.7A (Ta), 98.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 18.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: MLPAK33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 6 V |
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