PXP3R7-12QUJ NEXPERIA
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PXP3R7-12QUJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 18.7 A, 3200 µohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.7A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 1.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0032ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.44 EUR |
| 147+ | 1.46 EUR |
| 500+ | 1.26 EUR |
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Technische Details PXP3R7-12QUJ NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PXP3R7-12QUJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 18.7 A, 3200 µohm, MLPAK33, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: -, Verlustleistung Pd: 1.8W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, Verlustleistung: 1.8W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: MLPAK33, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Trench Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0032ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm.
Weitere Produktangebote PXP3R7-12QUJ nach Preis ab 0.9 EUR bis 4.07 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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PXP3R7-12QUJ | Nexperia |
MOSFETs SOT8002 P-CH 12V 18.7A |
auf Bestellung 2601 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PXP3R7-12QUJ | NEXPERIA |
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auf Bestellung 806 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PXP3R7-12QUJ |
![]() |
Hersteller: Nexperia
MOSFETs SOT8002 P-CH 12V 18.7A
MOSFETs SOT8002 P-CH 12V 18.7A
auf Bestellung 2601 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 3.64 EUR |
| 10+ | 2.31 EUR |
| 50+ | 1.73 EUR |
| 100+ | 1.54 EUR |
| 3000+ | 0.98 EUR |
| 6000+ | 0.9 EUR |
| PXP3R7-12QUJ |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PXP3R7-12QUJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 18.7 A, 3200 µohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 12V
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MSL: -
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Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
Description: NEXPERIA - PXP3R7-12QUJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 18.7 A, 3200 µohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
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Produktpalette: Trench Series
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Kanaltyp: p-Kanal
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
auf Bestellung 806 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 62+ | 4.07 EUR |
| 96+ | 2.44 EUR |
| 147+ | 1.46 EUR |
| 500+ | 1.26 EUR |


