PZT2222AT1G
Produktcode: 110550
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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PZT2222AT1G | onsemi |
Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 1.5 W |
auf Bestellung 6250 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PZT2222AT1G | ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.6A Power dissipation: 1.5W Case: SOT223-4; TO261-4 Mounting: SMD Frequency: 300MHz Current gain: 100...300 Kind of package: reel; tape |
auf Bestellung 6067 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PZT2222AT1G | onsemi |
Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 1.5 W |
auf Bestellung 6485 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PZT2222AT1G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 600mA 40V NPN |
auf Bestellung 39727 Stücke: Lieferzeit 374-378 Tag (e) |
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PZT2222AT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - PZT2222AT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 1.5W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 4188 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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PZT2222AT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - PZT2222AT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: - Verlustleistung: 1.5W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 4188 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| PZT2222AT1G | ON-Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 PZT2222AT1G PZT2222AT3G PZT2222A ONS TPZT2222a ONS Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| PZT2222AT1G |
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.5 W
Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.5 W
auf Bestellung 6250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1000+ | 0.33 EUR |
| 2000+ | 0.3 EUR |
| PZT2222AT1G |
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Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223-4; TO261-4
Mounting: SMD
Frequency: 300MHz
Current gain: 100...300
Kind of package: reel; tape
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223-4; TO261-4
Mounting: SMD
Frequency: 300MHz
Current gain: 100...300
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 6067 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 103+ | 0.83 EUR |
| 139+ | 0.62 EUR |
| 235+ | 0.36 EUR |
| 283+ | 0.3 EUR |
| 317+ | 0.27 EUR |
| 325+ | 0.26 EUR |
| 500+ | 0.25 EUR |
| 1000+ | 0.24 EUR |
| PZT2222AT1G |
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.5 W
Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.5 W
auf Bestellung 6485 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 17+ | 1.3 EUR |
| 27+ | 0.8 EUR |
| 100+ | 0.51 EUR |
| 500+ | 0.39 EUR |
| PZT2222AT1G |
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Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 600mA 40V NPN
Bipolar Transistors - BJT 600mA 40V NPN
auf Bestellung 39727 Stücke:
Lieferzeit 374-378 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 1.58 EUR |
| 10+ | 0.96 EUR |
| 100+ | 0.61 EUR |
| 500+ | 0.45 EUR |
| PZT2222AT1G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - PZT2222AT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - PZT2222AT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 4188 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| PZT2222AT1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - PZT2222AT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - PZT2222AT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 4188 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| PZT2222AT1G |
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Hersteller: ON-Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 PZT2222AT1G PZT2222AT3G PZT2222A ONS TPZT2222a ONS
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 PZT2222AT1G PZT2222AT3G PZT2222A ONS TPZT2222a ONS
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 0.57 EUR |