PZT2222AT1G ON Semiconductor
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Technische Details PZT2222AT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - PZT2222AT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: SOT-223, Dauerkollektorstrom: 600mA, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote PZT2222AT1G nach Preis ab 0.13 EUR bis 1.03 EUR
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PZT2222AT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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PZT2222AT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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PZT2222AT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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PZT2222AT1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 1.5 W |
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PZT2222AT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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PZT2222AT1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.6A Power dissipation: 1.5W Case: SOT223-4; TO261-4 Current gain: 100...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 300MHz Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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PZT2222AT1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.6A Power dissipation: 1.5W Case: SOT223-4; TO261-4 Current gain: 100...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 300MHz |
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PZT2222AT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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PZT2222AT1G Produktcode: 110550
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN |
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PZT2222AT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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PZT2222AT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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PZT2222AT1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 1.5 W |
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PZT2222AT1G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 600mA 40V NPN |
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PZT2222AT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - PZT2222AT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
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PZT2222AT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - PZT2222AT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 28 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PZT2222AT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 103000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PZT2222AT1G | Hersteller : On Semiconductor |
NPN перекл. 40 V 0,6 A 250 нсек 300 МГц Hfe=300 SOT-223 |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PZT2222AT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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