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PZT2222AT1G

PZT2222AT1G ON Semiconductor

pzt2222at1-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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Technische Details PZT2222AT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - PZT2222AT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: SOT-223, Dauerkollektorstrom: 600mA, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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PZT2222AT1G PZT2222AT1G Hersteller : ON Semiconductor pzt2222at1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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PZT2222AT1G PZT2222AT1G Hersteller : onsemi pzt2222at1-d.pdf Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.5 W
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PZT2222AT1G PZT2222AT1G Hersteller : ONSEMI PZT2222AT1G.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223-4; TO261-4
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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120+0.6 EUR
182+0.39 EUR
248+0.29 EUR
281+0.25 EUR
329+0.22 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 120
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PZT2222AT1G PZT2222AT1G Hersteller : ONSEMI PZT2222AT1G.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223-4; TO261-4
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
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Produktcode: 110550
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PZT2222AT1G PZT2222AT1G Hersteller : onsemi pzt2222at1-d.pdf Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.5 W
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PZT2222AT1G PZT2222AT1G Hersteller : onsemi PZT2222AT1-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 600mA 40V NPN
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PZT2222AT1G PZT2222AT1G Hersteller : ONSEMI 1750829.pdf Description: ONSEMI - PZT2222AT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 28 Stücke:
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PZT2222AT1G PZT2222AT1G Hersteller : ONSEMI 1750829.pdf Description: ONSEMI - PZT2222AT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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PZT2222AT1G PZT2222AT1G Hersteller : ON Semiconductor pzt2222at1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 103000 Stücke:
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PZT2222AT1G Hersteller : On Semiconductor pzt2222at1-d.pdf NPN перекл. 40 V 0,6 A 250 нсек 300 МГц Hfe=300 SOT-223
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PZT2222AT1G PZT2222AT1G Hersteller : ON Semiconductor pzt2222at1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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