PZT751T1G
Produktcode: 86620
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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PZT751T1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 31000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PZT751T1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PZT751T1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PZT751T1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 31000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PZT751T1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PZT751T1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 4700 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PZT751T1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 966 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PZT751T1G | ONSEMI |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 2A; 0.8W; SOT223-4,TO261-4 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 2A Power dissipation: 0.8W Case: SOT223-4; TO261-4 Current gain: 40 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 75MHz |
auf Bestellung 977 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PZT751T1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 4700 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PZT751T1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 966 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PZT751T1G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 2A 80V PNP |
auf Bestellung 15567 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PZT751T1G | onsemi |
Description: TRANS PNP 60V 2A SOT223Power - Max: 800 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Frequency - Transition: 75MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 1A, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 41 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PZT751T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - PZT751T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 2 A, 800 mW, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 3 - 168 Stunden Verlustleistung: 800mW SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 75MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 1180 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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PZT751T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - PZT751T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 2 A, 800 mW, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 3 - 168 Stunden Verlustleistung: 800mW SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 75MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 1180 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| PZT751T1G | ON-Semiconductor |
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 2A 75MHz 800mW Surface Mount SOT-223 PZT751T1G TPZT751Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| PZT751T1G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans GP BJT PNP 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 31000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1000+ | 0.29 EUR |
| 2000+ | 0.25 EUR |
| 10000+ | 0.23 EUR |
| 25000+ | 0.21 EUR |
| PZT751T1G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans GP BJT PNP 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1000+ | 0.29 EUR |
| 2000+ | 0.25 EUR |
| 10000+ | 0.23 EUR |
| PZT751T1G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans GP BJT PNP 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1000+ | 0.29 EUR |
| 2000+ | 0.26 EUR |
| 10000+ | 0.24 EUR |
| PZT751T1G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans GP BJT PNP 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 31000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1000+ | 0.29 EUR |
| 2000+ | 0.25 EUR |
| 10000+ | 0.23 EUR |
| 25000+ | 0.2 EUR |
| PZT751T1G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans GP BJT PNP 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1000+ | 0.44 EUR |
| 3000+ | 0.39 EUR |
| 5000+ | 0.35 EUR |
| 8000+ | 0.29 EUR |
| PZT751T1G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans GP BJT PNP 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 4700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 281+ | 0.63 EUR |
| 400+ | 0.43 EUR |
| 404+ | 0.42 EUR |
| 536+ | 0.31 EUR |
| 1000+ | 0.29 EUR |
| 3000+ | 0.26 EUR |
| PZT751T1G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans GP BJT PNP 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 966 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 257+ | 0.69 EUR |
| 405+ | 0.43 EUR |
| 541+ | 0.31 EUR |
| PZT751T1G |
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Hersteller: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 2A; 0.8W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 2A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT223-4; TO261-4
Current gain: 40
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 75MHz
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 2A; 0.8W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 2A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT223-4; TO261-4
Current gain: 40
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 75MHz
auf Bestellung 977 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 107+ | 0.8 EUR |
| 168+ | 0.51 EUR |
| 224+ | 0.38 EUR |
| 256+ | 0.33 EUR |
| 291+ | 0.3 EUR |
| 500+ | 0.24 EUR |
| PZT751T1G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans GP BJT PNP 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 4700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 162+ | 1.09 EUR |
| 255+ | 0.67 EUR |
| 281+ | 0.58 EUR |
| 400+ | 0.39 EUR |
| 404+ | 0.37 EUR |
| 536+ | 0.27 EUR |
| 1000+ | 0.24 EUR |
| 3000+ | 0.23 EUR |
| PZT751T1G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans GP BJT PNP 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 966 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 158+ | 1.12 EUR |
| 257+ | 0.67 EUR |
| 405+ | 0.4 EUR |
| 541+ | 0.29 EUR |
| PZT751T1G |
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Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 2A 80V PNP
Bipolar Transistors - BJT 2A 80V PNP
auf Bestellung 15567 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 1.19 EUR |
| 10+ | 0.74 EUR |
| 100+ | 0.48 EUR |
| 500+ | 0.36 EUR |
| 1000+ | 0.3 EUR |
| PZT751T1G |
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 60V 2A SOT223
Power - Max: 800 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Frequency - Transition: 75MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 1A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: TRANS PNP 60V 2A SOT223
Power - Max: 800 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Frequency - Transition: 75MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 1A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 18+ | 1.19 EUR |
| 29+ | 0.74 EUR |
| PZT751T1G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - PZT751T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 2 A, 800 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Verlustleistung: 800mW
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 75MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - PZT751T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 2 A, 800 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Verlustleistung: 800mW
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 75MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| PZT751T1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - PZT751T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 2 A, 800 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Verlustleistung: 800mW
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 75MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - PZT751T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 2 A, 800 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Verlustleistung: 800mW
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 75MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| PZT751T1G |
![]() |
Hersteller: ON-Semiconductor
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 2A 75MHz 800mW Surface Mount SOT-223 PZT751T1G TPZT751
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 2A 75MHz 800mW Surface Mount SOT-223 PZT751T1G TPZT751
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 50+ | 0.73 EUR |






