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Technische Details QH8JA1TCR ROHM Semiconductor
Description: ROHM - QH8JA1TCR - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 5 A, 5 A, 0.028 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.028ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TSMT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.028ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote QH8JA1TCR nach Preis ab 0.68 EUR bis 2.31 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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QH8JA1TCR | Hersteller : Rohm Semiconductor |
 Description: MOSFET 2P-CH 20V 5A TSMT8Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 1.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT8 Part Status: Active |
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QH8JA1TCR | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - QH8JA1TCR - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 5 A, 5 A, 0.028 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.028ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSMT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.028ohm productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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QH8JA1TCR | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - QH8JA1TCR - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 5 A, 5 A, 0.028 ohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.028ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSMT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.028ohm productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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| QH8JA1TCR | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
QH8JA1TCR Multi channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
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QH8JA1TCR | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 5A TSMT8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 1.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT8 Part Status: Active |
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