QH8KA4TCR Rohm Semiconductor
Hersteller: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 9A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
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Technische Details QH8KA4TCR Rohm Semiconductor
Description: ROHM - QH8KA4TCR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.0125 ohm, tariffCode: 85412900, Wandlerpolarität: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, productTraceability: No, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0125ohm, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, hazardous: false, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Produktpalette: -, Bauform - Transistor: TSMT, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0125ohm, Dauer-Drainstrom Id: 9A, rohsPhthalatesCompliant: YES, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0125ohm, usEccn: EAR99, Transistormontage: Oberflächenmontage, Verlustleistung Pd: 1.5W, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote QH8KA4TCR nach Preis ab 0.97 EUR bis 2.49 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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QH8KA4TCR | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 9A TSMT8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 1.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT8 Part Status: Active |
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QH8KA4TCR | Hersteller : ROHM Semiconductor |
MOSFET 30V Nch+Nch Si MOSFET |
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QH8KA4TCR | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - QH8KA4TCR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.0125 ohm tariffCode: 85412900 Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C productTraceability: No Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0125ohm Anzahl der Pins: 8Pin(s) Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A MSL: MSL 1 - unbegrenzt hazardous: false Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Produktpalette: - Bauform - Transistor: TSMT Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR rohsCompliant: YES Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W Drain-Source-Spannung Vds: 30V Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0125ohm Dauer-Drainstrom Id: 9A rohsPhthalatesCompliant: YES Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0125ohm usEccn: EAR99 Transistormontage: Oberflächenmontage Verlustleistung Pd: 1.5W SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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QH8KA4TCR | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - QH8KA4TCR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.0125 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0125ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0125ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 2991 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| QH8KA4TCR | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 9A; Idm: 40A; 1.5W; TSMT8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 9A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 1.5W Case: TSMT8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 24mΩ Mounting: SMD Gate charge: 12nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| QH8KA4TCR | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 9A; Idm: 40A; 1.5W; TSMT8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 9A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 1.5W Case: TSMT8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 24mΩ Mounting: SMD Gate charge: 12nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
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