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QH8KB6TCR

QH8KB6TCR Rohm Semiconductor

datasheet?p=QH8KB6&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 40V 8A TSMT8
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.7mOhm @ 8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 1.1W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.87 EUR
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Technische Details QH8KB6TCR Rohm Semiconductor

Description: ROHM - QH8KB6TCR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 8 A, 8 A, 0.0177 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TSMT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0177ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Weitere Produktangebote QH8KB6TCR nach Preis ab 0.83 EUR bis 3.55 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
QH8KB6TCR QH8KB6TCR Rohm Semiconductor datasheet?p=QH8KB6&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2N-CH 40V 8A TSMT8
Power - Max: 1.1W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.7mOhm @ 8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
auf Bestellung 5950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.12 EUR
13+1.73 EUR
100+1.34 EUR
500+1.14 EUR
1000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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QH8KB6TCR QH8KB6TCR ROHM Semiconductor datasheet?p=QH8KB6&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs TSMT8 2NCH 40V 8A
auf Bestellung 2436 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.17 EUR
10+2.01 EUR
100+1.33 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.95 EUR
3000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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QH8KB6TCR QH8KB6TCR ROHM qh8kb6tcr-e.pdf Description: ROHM - QH8KB6TCR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 8 A, 8 A, 0.0177 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0177ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2451 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
71+3.55 EUR
112+2.09 EUR
167+1.29 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 71 Stücke
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QH8KB6TCR datasheet?p=QH8KB6&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
QH8KB6TCR
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 40V 8A TSMT8
Power - Max: 1.1W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.7mOhm @ 8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
auf Bestellung 5950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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13+1.73 EUR
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MOSFETs TSMT8 2NCH 40V 8A
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AnzahlPrivatkunde
2+3.17 EUR
10+2.01 EUR
100+1.33 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.95 EUR
3000+0.83 EUR
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QH8KB6TCR
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - QH8KB6TCR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 8 A, 8 A, 0.0177 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0177ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2451 Stücke:
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71+3.55 EUR
112+2.09 EUR
167+1.29 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.84 EUR
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