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QH8MA3TCR

QH8MA3TCR Rohm Semiconductor

datasheet?p=QH8MA3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 30V 7A/5.5A TSMT8
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A, 5.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.5W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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Technische Details QH8MA3TCR Rohm Semiconductor

Description: ROHM - QH8MA3TCR - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.022 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.022ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TSMT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.022ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Weitere Produktangebote QH8MA3TCR nach Preis ab 0.52 EUR bis 2.24 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
QH8MA3TCR QH8MA3TCR Rohm Semiconductor qh8ma3tcr-e.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 7A/5.5A 8-Pin TSMT T/R
auf Bestellung 2959 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
209+0.83 EUR
250+0.79 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.7 EUR
2500+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 209 Stücke
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QH8MA3TCR QH8MA3TCR Rohm Semiconductor qh8ma3tcr-e.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 7A/5.5A 8-Pin TSMT T/R
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QH8MA3TCR QH8MA3TCR ROHM ROHM-S-A0000711872-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ROHM - QH8MA3TCR - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.022 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.022ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.022ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 5442 Stücke:
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150+1.67 EUR
173+1.34 EUR
225+0.95 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.62 EUR
5000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
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QH8MA3TCR QH8MA3TCR ROHM ROHM-S-A0000711872-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ROHM - QH8MA3TCR - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.022 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.022ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.022ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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173+1.34 EUR
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QH8MA3TCR QH8MA3TCR ROHM Semiconductor datasheet?p=QH8MA3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs 30V N+P Ch MOSFET
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QH8MA3TCR QH8MA3TCR Rohm Semiconductor datasheet?p=QH8MA3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N/P-CH 30V 7A/5.5A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A, 5.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.5W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT8
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QH8MA3TCR
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - QH8MA3TCR - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.022 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.022ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.022ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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QH8MA3TCR
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - QH8MA3TCR - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.022 ohm
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Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.022ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
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Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.022ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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MOSFETs 30V N+P Ch MOSFET
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 30V 7A/5.5A TSMT8
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Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A, 5.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.5W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT8
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10+2.24 EUR
15+1.4 EUR
100+0.88 EUR
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1000+0.63 EUR
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