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QH8MC5TCR

QH8MC5TCR Rohm Semiconductor

datasheet?p=QH8MC5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 60V 3A TSMT8
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 10V, 91mOhm @ 3.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135pF @ 30V, 850pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 3.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.1W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 10V, 17.3nC @ 10V
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Technische Details QH8MC5TCR Rohm Semiconductor

Description: ROHM - QH8MC5TCR - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 3 A, 3 A, 0.07 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.07ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TSMT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.07ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Weitere Produktangebote QH8MC5TCR nach Preis ab 0.63 EUR bis 2.81 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
QH8MC5TCR QH8MC5TCR Rohm Semiconductor qh8mc5tcr-e.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 3A/3.5A 8-Pin TSMT T/R
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QH8MC5TCR QH8MC5TCR Rohm Semiconductor qh8mc5tcr-e.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 3A/3.5A 8-Pin TSMT T/R
auf Bestellung 1384 Stücke:
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99+1.76 EUR
139+1.24 EUR
187+0.9 EUR
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QH8MC5TCR QH8MC5TCR ROHM datasheet?p=QH8MC5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - QH8MC5TCR - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 3 A, 3 A, 0.07 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.07ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.07ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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120+2.09 EUR
133+1.75 EUR
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QH8MC5TCR QH8MC5TCR ROHM Semiconductor datasheet?p=QH8MC5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs 60V 3.0A/3.5A, Dual Nch+Pch, TSMT8, Power MOSFET
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10+1.74 EUR
100+1.15 EUR
500+0.9 EUR
1000+0.82 EUR
3000+0.71 EUR
6000+0.68 EUR
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QH8MC5TCR QH8MC5TCR Rohm Semiconductor datasheet?p=QH8MC5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N/P-CH 60V 3A TSMT8
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 10V, 17.3nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 10V, 91mOhm @ 3.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135pF @ 30V, 850pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 3.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.1W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
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12+1.77 EUR
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 60V 3A/3.5A 8-Pin TSMT T/R
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auf Bestellung 1384 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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139+1.24 EUR
187+0.9 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 99 Stücke
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QH8MC5TCR
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Description: ROHM - QH8MC5TCR - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 3 A, 3 A, 0.07 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
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Dauer-Drainstrom Id: 3A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.07ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.07ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Mindestbestellmenge: 120 Stücke
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Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs 60V 3.0A/3.5A, Dual Nch+Pch, TSMT8, Power MOSFET
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AnzahlPrivatkunde
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10+1.74 EUR
100+1.15 EUR
500+0.9 EUR
1000+0.82 EUR
3000+0.71 EUR
6000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QH8MC5TCR datasheet?p=QH8MC5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
QH8MC5TCR
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 60V 3A TSMT8
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 10V, 17.3nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 10V, 91mOhm @ 3.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135pF @ 30V, 850pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 3.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.1W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
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8+2.81 EUR
12+1.77 EUR
100+1.18 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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