
QRE1113 onsemi / Fairchild

Optical Switches, Reflective, Phototransistor Output Reflective Object Sensor
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Anzahl | Preis |
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3+ | 0.97 EUR |
10+ | 0.81 EUR |
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Technische Details QRE1113 onsemi / Fairchild
Description: ONSEMI - QRE1113 - Reflexlichtschranke, Miniatur, Fototransistor, Durchsteckmontage, 1mm, 50mA, 5Vr, 1.2Vf, tariffCode: 85414900, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Messabstand / Gabelweite: -, IP-Schutzart: -, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Durchlassstrom If: 50mA, Sensormontage: Durchsteckmontage, Versorgungsspannung, min.: -, Sensorgehäuse/-bauform: DIP, Sensorausgang: Fototransistor, euEccn: NLR, Durchlassspannung: 1.2V, Messmethode: Reflektiv, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V, Kollektorstrom Ic, max.: 20mA, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Sperrspannung, Vr: 5V, Versorgungsspannung, max.: -, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Erfassungsabstand: 1mm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote QRE1113 nach Preis ab 0.43 EUR bis 1.09 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||||
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QRE1113 | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 3200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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QRE1113 | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: 4-DIP (0.157", 4.00mm) Output Type: Phototransistor Sensing Distance: 0.039" (1mm) Sensing Method: Reflective Mounting Type: Through Hole Response Time: 20µs, 20µs Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA |
auf Bestellung 4180 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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QRE1113 | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85414900 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Messabstand / Gabelweite: - IP-Schutzart: - usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Durchlassstrom If: 50mA Sensormontage: Durchsteckmontage Versorgungsspannung, min.: - Sensorgehäuse/-bauform: DIP Sensorausgang: Fototransistor euEccn: NLR Durchlassspannung: 1.2V Messmethode: Reflektiv Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V Kollektorstrom Ic, max.: 20mA Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Sperrspannung, Vr: 5V Versorgungsspannung, max.: - Betriebstemperatur, max.: 85°C Erfassungsabstand: 1mm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 5490 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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QRE1113 | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Sensor: photoelectric Type of sensor: photoelectric |
auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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QRE1113 | Hersteller : ON Semiconductor |
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QRE1113 | Hersteller : ON Semiconductor |
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Produkt ist nicht verfügbar |
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QRE1113 | Hersteller : ON Semiconductor |
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