Technische Details QRE1113 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - QRE1113 - Reflexlichtschranke, Miniatur, Fototransistor, Durchsteckmontage, 1mm, 50mA, 5Vr, 1.2Vf, tariffCode: 85414900, Versorgungsspannung, max.: -, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Durchlassstrom If: 50mA, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Betriebstemperatur, min.: -40°C, IP-Schutzart: -, Messmethode: Reflektiv, hazardous: false, Produktpalette: -, usEccn: EAR99, Messabstand / Gabelweite: -, Sensorgehäuse/-bauform: DIP, Erfassungsabstand: 1mm, rohsCompliant: YES, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Anzahl der Kanäle: 1Kanäle, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V, Kollektorstrom Ic, max.: 20mA, Versorgungsspannung, min.: -, Durchlassspannung: 1.2V, Ausgangsspannung: 30V, Sensormontage: Durchsteckmontage, Qualifikation: -, Sensorausgang: Fototransistor, Optokopplerausgang: Fototransistor, Eingangsstrom: 50mA, rohsPhthalatesCompliant: YES, Sperrspannung, Vr: 5V, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, euEccn: NLR.
Weitere Produktangebote QRE1113 nach Preis ab 0.73 EUR bis 2.12 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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QRE1113 | ON Semiconductor |
 Photoelectric Sensor Reflective Photo IC 0.001m 4-Pin |
auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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QRE1113 | onsemi |
Description: SENSOR REFL 1MM PHOTOTRANS THRU Packaging: Tube Package / Case: 4-DIP (0.157", 4.00mm) Output Type: Phototransistor Sensing Distance: 0.039" (1mm) Sensing Method: Reflective Mounting Type: Through Hole Response Time: 20µs, 20µs Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA |
auf Bestellung 2894 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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QRE1113 | ON Semiconductor |
Photoelectric Sensor Reflective Photo IC 0.001m 4-Pin |
auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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QRE1113 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - QRE1113 - Reflexlichtschranke, Miniatur, Fototransistor, Durchsteckmontage, 1mm, 50mA, 5Vr, 1.2Vf tariffCode: 85414900 Versorgungsspannung, max.: - Betriebstemperatur, max.: 85°C Durchlassstrom If: 50mA productTraceability: Yes-Date/Lot Code Anzahl der Pins: 4Pin(s) Betriebstemperatur, min.: -40°C IP-Schutzart: - Messmethode: Reflektiv hazardous: false Produktpalette: - usEccn: EAR99 Messabstand / Gabelweite: - Sensorgehäuse/-bauform: DIP Erfassungsabstand: 1mm rohsCompliant: YES SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V Kollektorstrom Ic, max.: 20mA Versorgungsspannung, min.: - Durchlassspannung: 1.2V Ausgangsspannung: 30V Sensormontage: Durchsteckmontage Qualifikation: - Sensorausgang: Fototransistor Optokopplerausgang: Fototransistor Eingangsstrom: 50mA rohsPhthalatesCompliant: YES Sperrspannung, Vr: 5V isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V euEccn: NLR |
auf Bestellung 3056 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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QRE1113 | onsemi |
Optical Switches, Reflective, Phototransistor Output Reflective Object Sensor |
auf Bestellung 12982 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| QRE1113 |
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Hersteller: ON Semiconductor
Photoelectric Sensor Reflective Photo IC 0.001m 4-Pin
Photoelectric Sensor Reflective Photo IC 0.001m 4-Pin
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1600+ | 0.73 EUR |
| QRE1113 |
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Hersteller: onsemi
Description: SENSOR REFL 1MM PHOTOTRANS THRU
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.157", 4.00mm)
Output Type: Phototransistor
Sensing Distance: 0.039" (1mm)
Sensing Method: Reflective
Mounting Type: Through Hole
Response Time: 20µs, 20µs
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
Description: SENSOR REFL 1MM PHOTOTRANS THRU
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.157", 4.00mm)
Output Type: Phototransistor
Sensing Distance: 0.039" (1mm)
Sensing Method: Reflective
Mounting Type: Through Hole
Response Time: 20µs, 20µs
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
auf Bestellung 2894 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 15+ | 1.4 EUR |
| 18+ | 1.21 EUR |
| 19+ | 1.15 EUR |
| 25+ | 1.08 EUR |
| 50+ | 1.04 EUR |
| 160+ | 0.95 EUR |
| 640+ | 0.88 EUR |
| 1120+ | 0.84 EUR |
| QRE1113 |
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Hersteller: ON Semiconductor
Photoelectric Sensor Reflective Photo IC 0.001m 4-Pin
Photoelectric Sensor Reflective Photo IC 0.001m 4-Pin
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 150+ | 1.62 EUR |
| 500+ | 1.25 EUR |
| 1600+ | 1.17 EUR |
| 3200+ | 1.12 EUR |
| 6400+ | 1.07 EUR |
| QRE1113 |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - QRE1113 - Reflexlichtschranke, Miniatur, Fototransistor, Durchsteckmontage, 1mm, 50mA, 5Vr, 1.2Vf
tariffCode: 85414900
Versorgungsspannung, max.: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Durchlassstrom If: 50mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
IP-Schutzart: -
Messmethode: Reflektiv
hazardous: false
Produktpalette: -
usEccn: EAR99
Messabstand / Gabelweite: -
Sensorgehäuse/-bauform: DIP
Erfassungsabstand: 1mm
rohsCompliant: YES
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V
Kollektorstrom Ic, max.: 20mA
Versorgungsspannung, min.: -
Durchlassspannung: 1.2V
Ausgangsspannung: 30V
Sensormontage: Durchsteckmontage
Qualifikation: -
Sensorausgang: Fototransistor
Optokopplerausgang: Fototransistor
Eingangsstrom: 50mA
rohsPhthalatesCompliant: YES
Sperrspannung, Vr: 5V
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
euEccn: NLR
Description: ONSEMI - QRE1113 - Reflexlichtschranke, Miniatur, Fototransistor, Durchsteckmontage, 1mm, 50mA, 5Vr, 1.2Vf
tariffCode: 85414900
Versorgungsspannung, max.: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Durchlassstrom If: 50mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
IP-Schutzart: -
Messmethode: Reflektiv
hazardous: false
Produktpalette: -
usEccn: EAR99
Messabstand / Gabelweite: -
Sensorgehäuse/-bauform: DIP
Erfassungsabstand: 1mm
rohsCompliant: YES
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V
Kollektorstrom Ic, max.: 20mA
Versorgungsspannung, min.: -
Durchlassspannung: 1.2V
Ausgangsspannung: 30V
Sensormontage: Durchsteckmontage
Qualifikation: -
Sensorausgang: Fototransistor
Optokopplerausgang: Fototransistor
Eingangsstrom: 50mA
rohsPhthalatesCompliant: YES
Sperrspannung, Vr: 5V
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
euEccn: NLR
auf Bestellung 3056 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 146+ | 1.71 EUR |
| 175+ | 1.33 EUR |
| 179+ | 1.2 EUR |
| 183+ | 1.18 EUR |
| 187+ | 1.14 EUR |
| 500+ | 1.12 EUR |
| QRE1113 |
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Hersteller: onsemi
Optical Switches, Reflective, Phototransistor Output Reflective Object Sensor
Optical Switches, Reflective, Phototransistor Output Reflective Object Sensor
auf Bestellung 12982 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 2.12 EUR |
| 10+ | 1.48 EUR |
| 100+ | 1.08 EUR |