QS5K2TR Rohm Semiconductor
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 30V 2A TSMT5
Supplier Device Package: TSMT5
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.25W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Technische Details QS5K2TR Rohm Semiconductor
Description: ROHM - QS5K2TR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2 A, 0.154 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TSMT, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.154ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote QS5K2TR nach Preis ab 0.23 EUR bis 2.27 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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QS5K2TR | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 2A 5-Pin TSMT T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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QS5K2TR | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 2A 5-Pin TSMT T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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QS5K2TR | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 2A 5-Pin TSMT T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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QS5K2TR | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 2A 5-Pin TSMT T/R |
auf Bestellung 35493 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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QS5K2TR | ROHM Semiconductor |
MOSFETs N-CHAN MOSF 30V 2A TSMT5 |
auf Bestellung 29227 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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QS5K2TR | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 2A TSMT5Supplier Device Package: TSMT5 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 1.25W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 133797 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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QS5K2TR | ROHM |
Description: ROHM - QS5K2TR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2 A, 0.154 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSMT Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.154ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 6232 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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QS5K2TR | ROHM |
Description: ROHM - QS5K2TR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2 A, 0.154 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSMT Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.154ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 6232 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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QS5K2TR | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 2A 5-Pin TSMT T/R |
auf Bestellung 359 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 350 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| QS5K2TR | ROH |
07+; |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| QS5K2TR |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 2A 5-Pin TSMT T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 2A 5-Pin TSMT T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 447+ | 0.39 EUR |
| 500+ | 0.37 EUR |
| 1000+ | 0.36 EUR |
| 2500+ | 0.33 EUR |
| QS5K2TR |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 2A 5-Pin TSMT T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 2A 5-Pin TSMT T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 369+ | 0.48 EUR |
| 500+ | 0.45 EUR |
| 1000+ | 0.43 EUR |
| 2500+ | 0.4 EUR |
| QS5K2TR |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 2A 5-Pin TSMT T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 2A 5-Pin TSMT T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 350+ | 0.61 EUR |
| 500+ | 0.45 EUR |
| 1000+ | 0.4 EUR |
| QS5K2TR |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 2A 5-Pin TSMT T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 280+ | 0.63 EUR |
| 371+ | 0.46 EUR |
| 373+ | 0.45 EUR |
| 500+ | 0.36 EUR |
| 1000+ | 0.32 EUR |
| 2000+ | 0.31 EUR |
| 3000+ | 0.24 EUR |
| 24000+ | 0.23 EUR |
| QS5K2TR |
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Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs N-CHAN MOSF 30V 2A TSMT5
MOSFETs N-CHAN MOSF 30V 2A TSMT5
auf Bestellung 29227 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 1.71 EUR |
| 10+ | 0.98 EUR |
| 100+ | 0.67 EUR |
| 500+ | 0.54 EUR |
| 1000+ | 0.48 EUR |
| 3000+ | 0.36 EUR |
| QS5K2TR |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 30V 2A TSMT5
Supplier Device Package: TSMT5
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.25W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET 2N-CH 30V 2A TSMT5
Supplier Device Package: TSMT5
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.25W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 133797 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 12+ | 1.84 EUR |
| 19+ | 1.14 EUR |
| 100+ | 0.74 EUR |
| 500+ | 0.55 EUR |
| 1000+ | 0.5 EUR |
| QS5K2TR |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - QS5K2TR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2 A, 0.154 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.154ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ROHM - QS5K2TR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2 A, 0.154 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.154ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 6232 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 111+ | 2.27 EUR |
| 178+ | 1.31 EUR |
| 272+ | 0.79 EUR |
| 500+ | 0.61 EUR |
| 1500+ | 0.55 EUR |
| QS5K2TR |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - QS5K2TR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2 A, 0.154 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.154ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ROHM - QS5K2TR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2 A, 0.154 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
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Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.154ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 6232 Stücke:
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 111+ | 2.27 EUR |
| 178+ | 1.31 EUR |
| 272+ | 0.79 EUR |
| 500+ | 0.61 EUR |
| 1500+ | 0.55 EUR |
| QS5K2TR |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 2A 5-Pin TSMT T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 2A 5-Pin TSMT T/R
auf Bestellung 359 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| QS5K2TR |
![]() |
Hersteller: ROH
07+;
07+;
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)



