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Technische Details QS5K2TR Rohm Semiconductor
Description: ROHM - QS5K2TR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2 A, 0.154 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -ohm, Verlustleistung, p-Kanal: -W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.154ohm, productTraceability: No, Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote QS5K2TR nach Preis ab 0.47 EUR bis 1.38 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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QS5K2TR | Hersteller : Rohm Semiconductor |
 Description: MOSFET 2N-CH 30V 2A TSMT5 |
auf Bestellung 67905 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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QS5K2TR | Hersteller : ROHM Semiconductor |
MOSFET N-CHAN MOSF 30V 2A TSMT5 |
auf Bestellung 62003 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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QS5K2TR | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - QS5K2TR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2 A, 0.154 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -ohm Verlustleistung, p-Kanal: -W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 5Pin(s) Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.154ohm productTraceability: No Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
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QS5K2TR | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - QS5K2TR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2 A, 0.154 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -ohm Verlustleistung, p-Kanal: -W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 5Pin(s) Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.154ohm productTraceability: No Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 16705 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| QS5K2TR | Hersteller : ROH |
07+; |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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QS5K2TR | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 2A; Idm: 8A; 1.25W; TSOT25 Mounting: SMD Case: TSOT25 Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: ESD protected gate Drain current: 2A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 30V Type of transistor: N-MOSFET x2 Gate-source voltage: ±12V Kind of package: reel; tape Semiconductor structure: common source On-state resistance: 154mΩ Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 1.25W Gate charge: 2.8nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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QS5K2TR | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 2A; Idm: 8A; 1.25W; TSOT25 Mounting: SMD Case: TSOT25 Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: ESD protected gate Drain current: 2A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 30V Type of transistor: N-MOSFET x2 Gate-source voltage: ±12V Kind of package: reel; tape Semiconductor structure: common source On-state resistance: 154mΩ Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 1.25W Gate charge: 2.8nC |
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