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Technische Details QS5U34TR ROHM Semiconductor
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET + Schottky; unipolar; 20V; 1.5A; Idm: 3A, Type of transistor: N-MOSFET + Schottky, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 20V, Drain current: 1.5A, Pulsed drain current: 3A, Power dissipation: 1.25W, Case: TSOT25, Gate-source voltage: ±10V, On-state resistance: 0.31Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 1.8nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, Features of semiconductor devices: ESD protected gate, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote QS5U34TR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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QS5U34TR | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET + Schottky; unipolar; 20V; 1.5A; Idm: 3A Type of transistor: N-MOSFET + Schottky Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 1.5A Pulsed drain current: 3A Power dissipation: 1.25W Case: TSOT25 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.31Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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QS5U34TR | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 20V 1.5A TSMT5 |
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QS5U34TR | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 20V 1.5A TSMT5 |
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QS5U34TR | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET + Schottky; unipolar; 20V; 1.5A; Idm: 3A Type of transistor: N-MOSFET + Schottky Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 1.5A Pulsed drain current: 3A Power dissipation: 1.25W Case: TSOT25 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.31Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
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