QS6K1FRATR

QS6K1FRATR Rohm Semiconductor


datasheet?p=QS6K1FRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 77pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 238mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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Technische Details QS6K1FRATR Rohm Semiconductor

Description: MOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 900mW (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 77pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 238mOhm @ 1A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95), Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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QS6K1FRATR QS6K1FRATR Hersteller : Rohm Semiconductor 440338344611472qs6k1fra.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 1A Automotive 6-Pin TSMT T/R
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QS6K1FRATR QS6K1FRATR Hersteller : ROHM Semiconductor datasheet?p=QS6K1FRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs 0.26Rds(on) 1.7Qg
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QS6K1FRATR QS6K1FRATR Hersteller : Rohm Semiconductor 440338344611472qs6k1fra.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 1A Automotive 6-Pin TSMT T/R
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QS6K1FRATR QS6K1FRATR Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=QS6K1FRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 77pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 238mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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12+1.57 EUR
18+0.98 EUR
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1000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 12
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QS6K1FRATR Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=QS6K1FRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key QS6K1FRATR Multi channel transistors
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