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QS6K21TR

QS6K21TR Rohm Semiconductor

qs6k21-e.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 45V 1A 6-Pin TSMT T/R
auf Bestellung 1595 Stücke:
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266+0.54 EUR
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Technische Details QS6K21TR Rohm Semiconductor

Description: ROHM - QS6K21TR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 45 V, 1 A, 1 A, 0.42 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 45V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 45V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-457, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.42ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
QS6K21TR QS6K21TR Rohm Semiconductor datasheet?p=QS6K21&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2N-CH 45V 1A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 45V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
auf Bestellung 2822 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.48 EUR
20+0.92 EUR
100+0.6 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 12
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QS6K21TR QS6K21TR ROHM Semiconductor datasheet?p=QS6K21&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Med Pwr, Sw MOSFET N Chan, 45V, 1A
auf Bestellung 3890 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.61 EUR
10+1 EUR
100+0.65 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.45 EUR
3000+0.38 EUR
6000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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QS6K21TR QS6K21TR ROHM qs6k21-e.pdf Description: ROHM - QS6K21TR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 45 V, 1 A, 1 A, 0.42 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 45V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 45V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-457
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.42ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2637 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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QS6K21TR QS6K21TR ROHM qs6k21-e.pdf Description: ROHM - QS6K21TR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 45 V, 1 A, 1 A, 0.42 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 45V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 45V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-457
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.42ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2637 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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QS6K21TR QS6K21TR Rohm Semiconductor datasheet?p=QS6K21&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2N-CH 45V 1A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 45V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
auf Bestellung 2385 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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QS6K21TR datasheet?p=QS6K21&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
QS6K21TR
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 45V 1A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 45V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
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QS6K21TR datasheet?p=QS6K21&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
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Description: ROHM - QS6K21TR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 45 V, 1 A, 1 A, 0.42 ohm
tariffCode: 85412900
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
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Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 45V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 45V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-457
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.42ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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QS6K21TR
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - QS6K21TR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 45 V, 1 A, 1 A, 0.42 ohm
tariffCode: 85412900
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 45V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 45V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-457
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.42ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 45V 1A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 45V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
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