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QS6M3TR

QS6M3TR Rohm Semiconductor

QS6M3.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Not For New Designs
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.42 EUR
6000+0.38 EUR
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Technische Details QS6M3TR Rohm Semiconductor

Description: ROHM - QS6M3TR - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 1.5 A, 1.5 A, 0.17 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.17ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: TSMT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.17ohm, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 900mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Weitere Produktangebote QS6M3TR nach Preis ab 0.44 EUR bis 2.13 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
QS6M3TR QS6M3TR Rohm Semiconductor 25qs6m3.pdf Trans MOSFET N/P-CH Si 30V/20V 1.5A 6-Pin TSMT T/R
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.46 EUR
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QS6M3TR QS6M3TR ROHM Semiconductor QS6M3.pdf MOSFETs N+P 30 20V 1.5A TSMT6
auf Bestellung 2199 Stücke:
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3+1.58 EUR
10+0.89 EUR
100+0.62 EUR
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QS6M3TR QS6M3TR Rohm Semiconductor QS6M3.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Not For New Designs
auf Bestellung 20108 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.74 EUR
20+1.08 EUR
100+0.7 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
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QS6M3TR QS6M3TR ROHM ROHMS24245-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ROHM - QS6M3TR - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 1.5 A, 1.5 A, 0.17 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.17ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.17ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 5982 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
118+2.13 EUR
209+1.11 EUR
278+0.77 EUR
500+0.68 EUR
1500+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 118 Stücke
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QS6M3TR QS6M3TR ROHM ROHMS24245-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ROHM - QS6M3TR - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 1.5 A, 1.5 A, 0.17 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.17ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.17ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 5982 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
118+2.13 EUR
209+1.11 EUR
278+0.77 EUR
500+0.68 EUR
1500+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 118 Stücke
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Trans MOSFET N/P-CH Si 30V/20V 1.5A 6-Pin TSMT T/R
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MOSFETs N+P 30 20V 1.5A TSMT6
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AnzahlPrivatkunde
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10+0.89 EUR
100+0.62 EUR
500+0.5 EUR
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QS6M3TR
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Not For New Designs
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13+1.74 EUR
20+1.08 EUR
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QS6M3TR
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - QS6M3TR - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 1.5 A, 1.5 A, 0.17 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.5A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.17ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.17ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 5982 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
118+2.13 EUR
209+1.11 EUR
278+0.77 EUR
500+0.68 EUR
1500+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 118 Stücke
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QS6M3TR
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - QS6M3TR - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 1.5 A, 1.5 A, 0.17 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.5A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.17ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.17ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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118+2.13 EUR
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278+0.77 EUR
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