QS6M3TR Rohm Semiconductor
Hersteller: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Not For New Designs
auf Bestellung 6000 Stücke:
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| Anzahl | Preis |
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| 3000+ | 0.33 EUR |
| 6000+ | 0.3 EUR |
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Technische Details QS6M3TR Rohm Semiconductor
Description: ROHM - QS6M3TR - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 1.5 A, 1.5 A, 0.17 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.17ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TSMT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.17ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 900mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote QS6M3TR nach Preis ab 0.33 EUR bis 1.37 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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QS6M3TR | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH Si 30V/20V 1.5A 6-Pin TSMT T/R |
auf Bestellung 48000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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QS6M3TR | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TSMT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.25W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1.5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95) Part Status: Not For New Designs |
auf Bestellung 7107 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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QS6M3TR | Hersteller : ROHM Semiconductor |
MOSFETs N+P 30 20V 1.5A TSMT6 |
auf Bestellung 3436 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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QS6M3TR | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - QS6M3TR - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 1.5 A, 1.5 A, 0.17 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.17ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSMT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.17ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 900mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 230615 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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QS6M3TR | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - QS6M3TR - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 1.5 A, 1.5 A, 0.17 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.17ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSMT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.17ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 900mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 230615 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| QS6M3TR |
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