QS8J13TR Rohm Semiconductor
Hersteller: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 12V 5.5A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 5.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.49 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details QS8J13TR Rohm Semiconductor
Description: ROHM - QS8J13TR - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 V, 5.5 A, 5.5 A, 0.015 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V, MSL: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.015ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TSMT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.015ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote QS8J13TR nach Preis ab 0.46 EUR bis 1.94 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
QS8J13TR | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 12V 5.5A 8-Pin TSMT T/R |
auf Bestellung 253 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
QS8J13TR | Hersteller : ROHM Semiconductor |
MOSFETs 1.5V Drive Pch+Pch MOSFET |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
QS8J13TR | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET 2P-CH 12V 5.5A TSMT8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.25W Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300pF @ 6V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 5.5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT8 Part Status: Active |
auf Bestellung 4424 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
QS8J13TR | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - QS8J13TR - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 V, 5.5 A, 5.5 A, 0.015 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.015ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSMT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.015ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2898 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
| QS8J13TR | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
QS8J13TR Multi channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |