QS8J2TR

QS8J2TR Rohm Semiconductor


datasheet?p=QS8J2&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 12V 4A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 550mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
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Technische Details QS8J2TR Rohm Semiconductor

Description: MOSFET 2P-CH 12V 4A TSMT8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 550mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940pF @ 6V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: TSMT8, Part Status: Active.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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QS8J2TR QS8J2TR Hersteller : Rohm Semiconductor qs8j2tr-e.pdf Trans MOSFET P-CH Si 12V 4A 8-Pin TSMT T/R
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QS8J2TR QS8J2TR Hersteller : Rohm Semiconductor qs8j2tr-e.pdf Trans MOSFET P-CH Si 12V 4A 8-Pin TSMT T/R
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QS8J2TR QS8J2TR Hersteller : Rohm Semiconductor qs8j2tr-e.pdf Trans MOSFET P-CH Si 12V 4A 8-Pin TSMT T/R
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QS8J2TR QS8J2TR Hersteller : ROHM Semiconductor datasheet?p=QS8J2&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs TRANS MOSFET PCH 12V 4A 8PIN
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QS8J2TR QS8J2TR Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=QS8J2&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2P-CH 12V 4A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 550mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
auf Bestellung 7286 Stücke:
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13+1.44 EUR
100+0.96 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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QS8J2TR datasheet?p=QS8J2&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
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QS8J2TR Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=QS8J2&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -12V; -4A; Idm: -12A; 1.5W; TSMT8
Case: TSMT8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -4A
On-state resistance: 132mΩ
Type of transistor: P-MOSFET x2
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: -12A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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QS8J2TR Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=QS8J2&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -12V; -4A; Idm: -12A; 1.5W; TSMT8
Case: TSMT8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -4A
On-state resistance: 132mΩ
Type of transistor: P-MOSFET x2
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
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