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QS8K13TCR

QS8K13TCR Rohm Semiconductor

qs8k13tcr-e.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin TSMT T/R
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Technische Details QS8K13TCR Rohm Semiconductor

Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A TSMT8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 550mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TSMT8, Part Status: Active.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
QS8K13TCR QS8K13TCR Rohm Semiconductor qs8k13tcr-e.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin TSMT T/R
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QS8K13TCR QS8K13TCR ROHM Semiconductor datasheet?p=QS8K13&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs 4V Drive Nch+Nch MOSFET
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QS8K13TCR QS8K13TCR Rohm Semiconductor datasheet?p=QS8K13&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 550mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
auf Bestellung 2592 Stücke:
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6+3.71 EUR
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100+1.59 EUR
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