QS8M51HZGTR Rohm Semiconductor
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details QS8M51HZGTR Rohm Semiconductor
Description: ROHM - QS8M51HZGTR - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 2 A, 1.5 A, 0.325 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.47ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TSMT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.325ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote QS8M51HZGTR nach Preis ab 0.65 EUR bis 2.13 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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QS8M51HZGTR | Hersteller : Rohm Semiconductor |
 Trans MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A 8-Pin TSMT T/R Automotive AEC-Q101 |
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QS8M51HZGTR | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N/P-CH 100V 2A TSMT8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.1W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), 1.5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V, 950pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 325mOhm @ 2A, 10V, 470mOhm @ 1.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 5V, 17nC @ 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT8 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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QS8M51HZGTR | Hersteller : ROHM Semiconductor |
MOSFETs TSMT8 100V 1.5A N-CH MOSFET |
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QS8M51HZGTR | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - QS8M51HZGTR - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 2 A, 1.5 A, 0.325 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.47ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSMT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.325ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
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QS8M51HZGTR | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - QS8M51HZGTR - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 2 A, 1.5 A, 0.325 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.47ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSMT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.325ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
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QS8M51HZGTR | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A 8-Pin TSMT T/R Automotive AEC-Q101 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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QS8M51HZGTR | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N/P-CH 100V 2A TSMT8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.1W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), 1.5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V, 950pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 325mOhm @ 2A, 10V, 470mOhm @ 1.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 5V, 17nC @ 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT8 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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