R1LV0108ESF-5SI#B1

R1LV0108ESF-5SI#B1 Renesas Electronics America Inc


r1lv0108e-series-datasheet-old-edition-r10ds0152ej0100 Hersteller: Renesas Electronics America Inc
Description: IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP
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Technische Details R1LV0108ESF-5SI#B1 Renesas Electronics America Inc

Description: RENESAS - R1LV0108ESF-5SI#B1 - SRAM, Asynchroner SRAM, LPSRAM, 1 Mbit, 128Kword x 8 Bit, TSOP, 32 Pin(s), 2.7 V, tariffCode: 85423245, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Speicherdichte: 1Mbit, usEccn: 3A991.b.2.a, Versorgungsspannung, nom.: 3V, Taktfrequenz, max.: -MHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.7V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 32Pin(s), productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Betriebstemperatur, max.: 85°C.

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R1LV0108ESF-5SI#B1 Hersteller : RENESAS 3917651.pdf Description: RENESAS - R1LV0108ESF-5SI#B1 - SRAM, Asynchroner SRAM, LPSRAM, 1 Mbit, 128Kword x 8 Bit, TSOP, 32 Pin(s), 2.7 V
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euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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R1LV0108ESF-5SI#B1 Hersteller : Renesas Electronics REN_r10ds0271ej0200_memory_a_DST_20191029-1999139.pdf SRAM SRAM 1MB ADV. 3V TSOP32 55NS -40TO85C
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