R1RP0408DGE-2LR#B1 Renesas Electronics
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Technische Details R1RP0408DGE-2LR#B1 Renesas Electronics
Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ, Packaging: Tube, Package / Case: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 4Mbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA), Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V, Technology: SRAM, Memory Format: SRAM, Supplier Device Package: 36-SOJ, Part Status: Active, Write Cycle Time - Word, Page: 12ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 12 ns, Memory Organization: 512K x 8, DigiKey Programmable: Not Verified.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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R1RP0408DGE-2LR#B1 | Hersteller : Renesas Electronics Corporation |
 Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJPackaging: Tube Package / Case: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Technology: SRAM Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 36-SOJ Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 12ns Memory Interface: Parallel Access Time: 12 ns Memory Organization: 512K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
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