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R1RW0408DGE-2PR#B1

R1RW0408DGE-2PR#B1 Renesas Electronics Corporation

Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
Packaging: Tube
Package / Case: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SRAM
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 36-SOJ
Write Cycle Time - Word, Page: 12ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 12 ns
Memory Organization: 512K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
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Technische Details R1RW0408DGE-2PR#B1 Renesas Electronics Corporation

Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ, Packaging: Tube, Package / Case: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 4Mbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA), Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V, Technology: SRAM, Memory Format: SRAM, Supplier Device Package: 36-SOJ, Write Cycle Time - Word, Page: 12ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 12 ns, Memory Organization: 512K x 8, DigiKey Programmable: Not Verified.

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R1RW0408DGE-2PR#B1 R1RW0408DGE-2PR#B1 Hersteller : Renesas Electronics REN_r10ds0286ej0100_memory_a_DST_20191118-2930908.pdf SRAM SRAM 4MB FAST X8 3V SOJ 12NS 0TO70C
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