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R1RW0416DSB-2SR#D1 Renesas Electronics


REN_r10ds0282ej0100_memory_a_DST_20191118-2930552.pdf Hersteller: Renesas Electronics
SRAM SRAM 4MB FAST X16 3V TSOP 12NS -40to85C
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Technische Details R1RW0416DSB-2SR#D1 Renesas Electronics

Description: SRAM 4MB FAST X16 3V TSOP 12NS -, Packaging: Tray, Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 4Mbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA), Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V, Technology: SRAM - Asynchronous, Memory Format: SRAM, Supplier Device Package: 44-TSOP II, Write Cycle Time - Word, Page: 12ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 12 ns, Memory Organization: 256K x 16.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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R1RW0416DSB-2SR#D1 Hersteller : Renesas Electronics Corporation r1rp0416d-series-datasheet?r=498416 Description: SRAM 4MB FAST X16 3V TSOP 12NS -
Packaging: Tray
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 12ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 12 ns
Memory Organization: 256K x 16
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