Produkte > ROHM SEMICONDUCTOR > R4P020N06HZGT100
R4P020N06HZGT100

R4P020N06HZGT100 ROHM Semiconductor

r4p020n06hzgt100-e.pdf
Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs R4P020N06HZG is an automotive grade MOSFET that is AEC-Q101 qualified. Ideal for Switching
auf Bestellung 543 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+2.09 EUR
10+1.31 EUR
100+0.86 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.6 EUR
2000+0.51 EUR
5000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details R4P020N06HZGT100 ROHM Semiconductor

Description: ROHM - R4P020N06HZGT100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.2 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 500mW, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024), Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm.

Weitere Produktangebote R4P020N06HZGT100 nach Preis ab 0.87 EUR bis 2.57 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
R4P020N06HZGT100 R4P020N06HZGT100 Rohm Semiconductor r4p020n06hzgt100-e.pdf Description: NCH 60V 2A, TO-243, POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-89
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 165 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.14 EUR
16+1.33 EUR
100+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R4P020N06HZGT100 R4P020N06HZGT100 ROHM r4p020n06hzgt100-e.pdf Description: ROHM - R4P020N06HZGT100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.2 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
auf Bestellung 175 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
98+2.57 EUR
173+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 98 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R4P020N06HZGT100 R4P020N06HZGT100 ROHM r4p020n06hzgt100-e.pdf Description: ROHM - R4P020N06HZGT100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.2 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
auf Bestellung 175 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.57 EUR
173+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R4P020N06HZGT100 r4p020n06hzgt100-e.pdf
R4P020N06HZGT100
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: NCH 60V 2A, TO-243, POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-89
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 165 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+2.14 EUR
16+1.33 EUR
100+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R4P020N06HZGT100 r4p020n06hzgt100-e.pdf
R4P020N06HZGT100
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - R4P020N06HZGT100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.2 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
auf Bestellung 175 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
98+2.57 EUR
173+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 98 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R4P020N06HZGT100 r4p020n06hzgt100-e.pdf
R4P020N06HZGT100
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - R4P020N06HZGT100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.2 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
auf Bestellung 175 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.57 EUR
173+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH