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R6000ENHTB1

R6000ENHTB1 Rohm Semiconductor

datasheet?p=R6000ENH&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: 600V 0.5A, SOP8, LOW-NOISE POWER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 25 V
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Technische Details R6000ENHTB1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - R6000ENHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 500 mA, 8.8 ohm, SOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 500mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Verlustleistung Pd: 2W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, Verlustleistung: 2W, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: SOP, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 7.3ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8.8ohm.

Weitere Produktangebote R6000ENHTB1 nach Preis ab 0.73 EUR bis 3.68 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
R6000ENHTB1 R6000ENHTB1 ROHM Semiconductor datasheet?p=R6000ENH&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 0A 3rd Gen, Low Noise
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R6000ENHTB1 R6000ENHTB1 ROHM r6000enhtb1-e.pdf Description: ROHM - R6000ENHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 500 mA, 8.8 ohm, SOP, Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8.8ohm
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Bauform - Transistor: SOP
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Anzahl der Pins: 8Pin(s)
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Wandlerpolarität: n-Kanal
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 7.3ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8.8ohm
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R6000ENHTB1 R6000ENHTB1 Rohm Semiconductor r6000enhtb1-e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.5A 8-Pin SOP T/R
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - R6000ENHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 500 mA, 8.8 ohm, SOP, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: SOP
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - R6000ENHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 500 mA, 8.8 ohm, SOP, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: SOP
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Wandlerpolarität: n-Kanal
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Kanaltyp: n-Kanal
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