Technische Details R6002JND4TL1 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - R6002JND4TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1 A, 3.25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 7V, Verlustleistung: 6.6W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.25ohm.
Weitere Produktangebote R6002JND4TL1 nach Preis ab 0.6 EUR bis 2.84 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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R6002JND4TL1 | ROHM Semiconductor |
 MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 2A 3rd Gen, Fast Recover |
auf Bestellung 6812 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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R6002JND4TL1 | Rohm Semiconductor |
Description: 600V 1A SOT-223-3, PRESTOMOS WIT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25Ohm @ 1A, 15V Power Dissipation (Max): 6.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 100µA Supplier Device Package: SOT-223-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 100 V |
auf Bestellung 3340 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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R6002JND4TL1 | ROHM |
Description: ROHM - R6002JND4TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1 A, 3.25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 7V Verlustleistung: 6.6W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 15V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.25ohm |
auf Bestellung 3950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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R6002JND4TL1 | ROHM |
Description: ROHM - R6002JND4TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1 A, 3.25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 7V Verlustleistung: 6.6W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 15V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.25ohm |
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R6002JND4TL1 | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 120 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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R6002JND4TL1 | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R |
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Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| R6002JND4TL1 |
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Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 2A 3rd Gen, Fast Recover
MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 2A 3rd Gen, Fast Recover
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 2.39 EUR |
| 10+ | 1.5 EUR |
| 100+ | 0.99 EUR |
| 500+ | 0.77 EUR |
| 1000+ | 0.7 EUR |
| 2000+ | 0.64 EUR |
| 4000+ | 0.6 EUR |
| R6002JND4TL1 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: 600V 1A SOT-223-3, PRESTOMOS WIT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25Ohm @ 1A, 15V
Power Dissipation (Max): 6.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 100 V
Description: 600V 1A SOT-223-3, PRESTOMOS WIT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25Ohm @ 1A, 15V
Power Dissipation (Max): 6.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 100 V
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 9+ | 2.43 EUR |
| 14+ | 1.52 EUR |
| 100+ | 1.01 EUR |
| 500+ | 0.79 EUR |
| 1000+ | 0.71 EUR |
| 2000+ | 0.65 EUR |
| R6002JND4TL1 |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - R6002JND4TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1 A, 3.25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
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Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 7V
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Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.25ohm
Description: ROHM - R6002JND4TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1 A, 3.25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 7V
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.25ohm
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 88+ | 2.84 EUR |
| 140+ | 1.67 EUR |
| 213+ | 1.01 EUR |
| 500+ | 0.73 EUR |
| 1000+ | 0.65 EUR |
| R6002JND4TL1 |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - R6002JND4TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1 A, 3.25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.25ohm
Description: ROHM - R6002JND4TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1 A, 3.25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.25ohm
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| Anzahl | Privatkunde |
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| 100+ | 2.84 EUR |
| 140+ | 1.67 EUR |
| 213+ | 1.01 EUR |
| 500+ | 0.73 EUR |
| 1000+ | 0.65 EUR |
| R6002JND4TL1 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
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| R6002JND4TL1 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
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