R6002JND4TL1 Rohm Semiconductor
Hersteller: Rohm SemiconductorDescription: 600V 1A SOT-223-3, PRESTOMOS WIT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25Ohm @ 1A, 15V
Power Dissipation (Max): 6.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 100 V
auf Bestellung 3792 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 12+ | 1.55 EUR |
| 16+ | 1.17 EUR |
| 100+ | 0.77 EUR |
| 500+ | 0.6 EUR |
| 1000+ | 0.55 EUR |
| 2000+ | 0.5 EUR |
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Technische Details R6002JND4TL1 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - R6002JND4TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1 A, 3.25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 6.6W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.25ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote R6002JND4TL1 nach Preis ab 0.45 EUR bis 1.83 EUR
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Preis | ||||||||||||||||
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R6002JND4TL1 | Hersteller : ROHM Semiconductor |
MOSFETs 600V 1A SOT-223-3, PrestoMOS with integrated high-speed diode: R6002JND4 is a power MOSFET with fast reverse recovery time (trr), suitable for the switching applications.PrestoMOS series, R60xxJNx series increases design flexibility while maintain |
auf Bestellung 7859 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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R6002JND4TL1 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - R6002JND4TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1 A, 3.25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: true rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 7V euEccn: NLR Verlustleistung: 6.6W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.25ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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R6002JND4TL1 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - R6002JND4TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1 A, 3.25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 7V euEccn: NLR Verlustleistung: 6.6W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.25ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| R6002JND4TL1 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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R6002JND4TL1 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: 600V 1A SOT-223-3, PRESTOMOS WIT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25Ohm @ 1A, 15V Power Dissipation (Max): 6.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 100µA Supplier Device Package: SOT-223-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 100 V |
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