R6003JND4TL1 Rohm Semiconductor
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 142+ | 1.23 EUR |
| 143+ | 1.2 EUR |
| 148+ | 1.14 EUR |
| 196+ | 0.83 EUR |
| 250+ | 0.81 EUR |
| 500+ | 0.65 EUR |
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Technische Details R6003JND4TL1 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - R6003JND4TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1.3 A, 2.15 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 7V, Verlustleistung: 7.8W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.15ohm.
Weitere Produktangebote R6003JND4TL1 nach Preis ab 0.56 EUR bis 2.68 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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R6003JND4TL1 | Rohm Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 600V 1.3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 719 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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R6003JND4TL1 | ROHM Semiconductor |
MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 3A 3rd Gen, Fast Recover |
auf Bestellung 7443 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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R6003JND4TL1 | Rohm Semiconductor |
Description: 600V 1.3A SOT-223-3, PRESTOMOS W Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.15Ohm @ 1.5A, 15V Power Dissipation (Max): 7.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 300µA Supplier Device Package: SOT-223-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 100 V |
auf Bestellung 3980 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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R6003JND4TL1 | ROHM |
Description: ROHM - R6003JND4TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1.3 A, 2.15 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 7V Verlustleistung: 7.8W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 15V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.15ohm |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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R6003JND4TL1 | ROHM |
Description: ROHM - R6003JND4TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1.3 A, 2.15 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 7V Verlustleistung: 7.8W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 15V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.15ohm |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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R6003JND4TL1 | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 1.3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| R6003JND4TL1 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 1.3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 1.3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 719 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 115+ | 1.52 EUR |
| 143+ | 1.18 EUR |
| 144+ | 1.12 EUR |
| 149+ | 1.05 EUR |
| 197+ | 0.76 EUR |
| 250+ | 0.71 EUR |
| 500+ | 0.56 EUR |
| R6003JND4TL1 |
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Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 3A 3rd Gen, Fast Recover
MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 3A 3rd Gen, Fast Recover
auf Bestellung 7443 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 2.64 EUR |
| 10+ | 1.65 EUR |
| 100+ | 1.09 EUR |
| 500+ | 0.86 EUR |
| 1000+ | 0.77 EUR |
| 2000+ | 0.71 EUR |
| 4000+ | 0.68 EUR |
| R6003JND4TL1 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: 600V 1.3A SOT-223-3, PRESTOMOS W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.15Ohm @ 1.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 300µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 100 V
Description: 600V 1.3A SOT-223-3, PRESTOMOS W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.15Ohm @ 1.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 300µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 100 V
auf Bestellung 3980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 8+ | 2.68 EUR |
| 13+ | 1.69 EUR |
| 100+ | 1.12 EUR |
| 500+ | 0.87 EUR |
| 1000+ | 0.8 EUR |
| 2000+ | 0.73 EUR |
| R6003JND4TL1 |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - R6003JND4TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1.3 A, 2.15 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 7V
Verlustleistung: 7.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.15ohm
Description: ROHM - R6003JND4TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1.3 A, 2.15 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 7V
Verlustleistung: 7.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.15ohm
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| R6003JND4TL1 |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - R6003JND4TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1.3 A, 2.15 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 7V
Verlustleistung: 7.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.15ohm
Description: ROHM - R6003JND4TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1.3 A, 2.15 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 7V
Verlustleistung: 7.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.15ohm
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| R6003JND4TL1 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 1.3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 1.3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)