R6003KND4TL1 ROHM Semiconductor
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 2.51 EUR |
| 10+ | 1.59 EUR |
| 100+ | 1.05 EUR |
| 500+ | 0.82 EUR |
| 1000+ | 0.75 EUR |
| 2000+ | 0.68 EUR |
| 4000+ | 0.67 EUR |
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Technische Details R6003KND4TL1 ROHM Semiconductor
Description: ROHM - R6003KND4TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1.3 A, 1.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V, Verlustleistung: 7.8W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm.
Weitere Produktangebote R6003KND4TL1 nach Preis ab 0.69 EUR bis 2.7 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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R6003KND4TL1 | Rohm Semiconductor |
 Description: 600V 1.3A SOT-223-3, HIGH-SPEEDPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 7.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 185 pF @ 25 V |
auf Bestellung 3448 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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R6003KND4TL1 | ROHM |
Description: ROHM - R6003KND4TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1.3 A, 1.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V Verlustleistung: 7.8W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm |
auf Bestellung 96 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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R6003KND4TL1 | ROHM |
Description: ROHM - R6003KND4TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1.3 A, 1.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V Verlustleistung: 7.8W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm |
auf Bestellung 96 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 96 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| R6003KND4TL1 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: 600V 1.3A SOT-223-3, HIGH-SPEED
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 185 pF @ 25 V
Description: 600V 1.3A SOT-223-3, HIGH-SPEED
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 185 pF @ 25 V
auf Bestellung 3448 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 9+ | 2.57 EUR |
| 13+ | 1.62 EUR |
| 100+ | 1.07 EUR |
| 500+ | 0.83 EUR |
| 1000+ | 0.76 EUR |
| 2000+ | 0.69 EUR |
| R6003KND4TL1 |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - R6003KND4TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1.3 A, 1.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
Verlustleistung: 7.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
Description: ROHM - R6003KND4TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1.3 A, 1.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
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Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 93+ | 2.7 EUR |
| R6003KND4TL1 |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - R6003KND4TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1.3 A, 1.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
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Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
Verlustleistung: 7.8W
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Bauform - Transistor: SOT-223
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
Description: ROHM - R6003KND4TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1.3 A, 1.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
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Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
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Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
auf Bestellung 96 Stücke:
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