R6003KND4TL1 ROHM Semiconductor
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| Anzahl | Preis |
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| 2+ | 1.97 EUR |
| 10+ | 1.24 EUR |
| 100+ | 0.82 EUR |
| 500+ | 0.67 EUR |
| 1000+ | 0.58 EUR |
| 2000+ | 0.53 EUR |
| 4000+ | 0.51 EUR |
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Technische Details R6003KND4TL1 ROHM Semiconductor
Description: ROHM - R6003KND4TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1.3 A, 1.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 7.8W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote R6003KND4TL1 nach Preis ab 0.54 EUR bis 1.99 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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R6003KND4TL1 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
 Description: 600V 1.3A SOT-223-3, HIGH-SPEEDPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 7.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 185 pF @ 25 V |
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R6003KND4TL1 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - R6003KND4TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1.3 A, 1.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 7.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm SVHC: To Be Advised |
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R6003KND4TL1 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - R6003KND4TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1.3 A, 1.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 7.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm SVHC: To Be Advised |
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R6003KND4TL1 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: 600V 1.3A SOT-223-3, HIGH-SPEED Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 7.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 185 pF @ 25 V |
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