R6004KNXC7G Rohm Semiconductor


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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
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Technische Details R6004KNXC7G Rohm Semiconductor

Description: 600V 4A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: TO-220FM, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 40W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Packaging: Tube.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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R6004KNXC7G R6004KNXC7G ROHM Semiconductor r6004knx-e.pdf MOSFETs TO220 600V 4A N-CH MOSFET
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R6004KNXC7G R6004KNXC7G Rohm Semiconductor r6004knx-e.pdf Description: 600V 4A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220FM
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
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