Produkte > ROHM SEMICONDUCTOR > R6004PND3FRATL
R6004PND3FRATL

R6004PND3FRATL Rohm Semiconductor

datasheet?p=R6004PND3FRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 4A TO252
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+2.71 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details R6004PND3FRATL Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 600V 4A TO252, Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Vgs (Max): ±25V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-252, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 65W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR).

Weitere Produktangebote R6004PND3FRATL nach Preis ab 2.75 EUR bis 7.35 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
R6004PND3FRATL R6004PND3FRATL ROHM 2918334.pdf Description: ROHM - R6004PND3FRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 1.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 65
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.4
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4.5
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
auf Bestellung 1813 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.92 EUR
500+3.32 EUR
1000+2.76 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6004PND3FRATL R6004PND3FRATL Rohm Semiconductor datasheet?p=R6004PND3FRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 600V 4A TO252
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
auf Bestellung 4543 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.57 EUR
10+4.68 EUR
100+3.78 EUR
500+3.36 EUR
1000+2.88 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6004PND3FRATL R6004PND3FRATL ROHM 2918334.pdf Description: ROHM - R6004PND3FRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 1.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 65
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.4
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4.5
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
auf Bestellung 1813 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+6.5 EUR
46+5.15 EUR
100+3.92 EUR
500+3.32 EUR
1000+2.76 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6004PND3FRATL R6004PND3FRATL ROHM Semiconductor datasheet?p=R6004PND3FRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 4A 1st Gen, for Auto
auf Bestellung 1865 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.35 EUR
10+4.49 EUR
100+3.44 EUR
500+2.89 EUR
1000+2.87 EUR
2500+2.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6004PND3FRATL 2918334.pdf
R6004PND3FRATL
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - R6004PND3FRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 1.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 65
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.4
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4.5
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
auf Bestellung 1813 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.92 EUR
500+3.32 EUR
1000+2.76 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6004PND3FRATL datasheet?p=R6004PND3FRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6004PND3FRATL
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 4A TO252
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
auf Bestellung 4543 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+5.57 EUR
10+4.68 EUR
100+3.78 EUR
500+3.36 EUR
1000+2.88 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6004PND3FRATL 2918334.pdf
R6004PND3FRATL
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - R6004PND3FRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 1.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 65
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.4
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4.5
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
auf Bestellung 1813 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
39+6.5 EUR
46+5.15 EUR
100+3.92 EUR
500+3.32 EUR
1000+2.76 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6004PND3FRATL datasheet?p=R6004PND3FRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6004PND3FRATL
Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 4A 1st Gen, for Auto
auf Bestellung 1865 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+7.35 EUR
10+4.49 EUR
100+3.44 EUR
500+2.89 EUR
1000+2.87 EUR
2500+2.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH