Technische Details R6006ANDTL
Description: MOSFET N-CH 600V 6A CPT, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 40W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA, Supplier Device Package: CPT3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| R6006ANDTL | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 600V 6A 3-Pin(2+Tab) CPT T/R |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| R6006ANDTL |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 600V 6A 3-Pin(2+Tab) CPT T/R
Trans MOSFET N-CH Si 600V 6A 3-Pin(2+Tab) CPT T/R
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)

