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R6006JND3TL1

R6006JND3TL1 Rohm Semiconductor

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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details R6006JND3TL1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - R6006JND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.72 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600, Dauer-Drainstrom Id: 6, hazardous: false, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 86, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6, euEccn: NLR, Verlustleistung: 86, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.72, Rds(on)-Prüfspannung: 15, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72, SVHC: Lead (10-Jun-2022).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
R6006JND3TL1 R6006JND3TL1 Rohm Semiconductor r6006jnd3tl1-e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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R6006JND3TL1 R6006JND3TL1 ROHM Semiconductor datasheet?p=R6006JND3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Nch 600V 6A Power MOSFET. R6006JND3 is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.
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