Produkte > ROHM SEMICONDUCTOR > R6006KND3TL1
R6006KND3TL1

R6006KND3TL1 Rohm Semiconductor

r6006knd3tl1-e.pdf Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2392 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
80+1.88 EUR
500+1.46 EUR
1000+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 80
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details R6006KND3TL1 Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 600V 6A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 830mOhm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 70W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-252, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V.

Weitere Produktangebote R6006KND3TL1 nach Preis ab 1.62 EUR bis 4.86 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
R6006KND3TL1 R6006KND3TL1 Hersteller : Rohm Semiconductor r6006knd3tl1-e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
54+2.77 EUR
57+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 54
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6006KND3TL1 R6006KND3TL1 Hersteller : Rohm Semiconductor r6006knd3tl1-e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 6A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 830mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
auf Bestellung 2633 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+4.86 EUR
10+3.15 EUR
100+2.17 EUR
500+1.76 EUR
1000+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6006KND3TL1 Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR r6006knd3tl1-e.pdf R6006KND3TL1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6006KND3TL1 R6006KND3TL1 Hersteller : Rohm Semiconductor r6006knd3tl1-e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 6A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 830mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6006KND3TL1 R6006KND3TL1 Hersteller : ROHM Semiconductor r6006knd3tl1-e.pdf MOSFETs Nch 600V 6A Power MOSFET. R6006KND3 is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH