R6006KND4TL1 ROHM Semiconductor
Hersteller: ROHM SemiconductorMOSFETs 600V 2.8A SOT-223-3, High-speed switching Power MOSFET: R6006KND4 is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.
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| 2+ | 2.25 EUR |
| 10+ | 1.43 EUR |
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| 500+ | 0.89 EUR |
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| 4000+ | 0.77 EUR |
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Technische Details R6006KND4TL1 ROHM Semiconductor
Description: ROHM - R6006KND4TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2.8 A, 0.87 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 12.3W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.87ohm, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote R6006KND4TL1 nach Preis ab 0.80 EUR bis 2.83 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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R6006KND4TL1 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: 600V 2.8A SOT-223-3, HIGH-SPEED Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 870mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 12.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V |
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R6006KND4TL1 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - R6006KND4TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2.8 A, 0.87 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 12.3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.87ohm SVHC: To Be Advised |
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R6006KND4TL1 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - R6006KND4TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2.8 A, 0.87 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 12.3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.87ohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 3210 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| R6006KND4TL1 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 2.8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| R6006KND4TL1 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 2.8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 80 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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R6006KND4TL1 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: 600V 2.8A SOT-223-3, HIGH-SPEED Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 870mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 12.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V |
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