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R6007ENJTL

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Produktcode: 190145
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN

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R6007ENJTL R6007ENJTL Hersteller : ROHM Semiconductor r6007enjtl-e.pdf MOSFET 10V Drive Nch MOSFET
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R6007ENJTL R6007ENJTL Hersteller : Rohm Semiconductor r6007enjtl-e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 7A LPTS
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R6007ENJTL R6007ENJTL Hersteller : ROHM r6007enjtl-e.pdf Description: ROHM - R6007ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.57 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.57ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 54 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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R6007ENJTL R6007ENJTL Hersteller : ROHM r6007enjtl-e.pdf Description: ROHM - R6007ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.57 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
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Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.57ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
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R6007ENJTL R6007ENJTL Hersteller : Rohm Semiconductor r6007enjtl-e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 7A LPTS
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