R6009JND3TL1 Rohm Semiconductor
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| 117+ | 1.34 EUR |
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Technische Details R6009JND3TL1 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - R6009JND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.45 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote R6009JND3TL1 nach Preis ab 1.83 EUR bis 4.56 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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R6009JND3TL1 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
 Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO252Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 4.5A, 15V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 1.38mA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 100 V |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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R6009JND3TL1 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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R6009JND3TL1 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 97 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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R6009JND3TL1 | Hersteller : ROHM Semiconductor |
MOSFET R6009JND3 is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application. |
auf Bestellung 2499 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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R6009JND3TL1 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 4.5A, 15V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 1.38mA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 100 V |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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R6009JND3TL1 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - R6009JND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.45 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm |
auf Bestellung 55 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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R6009JND3TL1 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - R6009JND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.45 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 55 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| R6009JND3TL1 | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; Idm: 27A; 125W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 9A Pulsed drain current: 27A Power dissipation: 125W Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 585mΩ Mounting: SMD Gate charge: 22nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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| R6009JND3TL1 | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; Idm: 27A; 125W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 9A Pulsed drain current: 27A Power dissipation: 125W Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 585mΩ Mounting: SMD Gate charge: 22nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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