R6009JND3TL1 Rohm Semiconductor
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 117+ | 1.49 EUR |
| 120+ | 1.44 EUR |
| 530+ | 0.32 EUR |
| 541+ | 0.3 EUR |
| 1000+ | 0.29 EUR |
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Technische Details R6009JND3TL1 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - R6009JND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.585 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V, Verlustleistung: 125W, SVHC: Lead (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.585ohm.
Weitere Produktangebote R6009JND3TL1 nach Preis ab 2.31 EUR bis 5.95 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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R6009JND3TL1 | Rohm Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 97 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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R6009JND3TL1 | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 4.5A, 15V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 1.38mA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 100 V |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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R6009JND3TL1 | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO252 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 15 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-252 Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 1.38mA Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 4.5A, 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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R6009JND3TL1 | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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R6009JND3TL1 | ROHM Semiconductor |
MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 9A 3rd Gen, Fast Recover |
auf Bestellung 2396 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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R6009JND3TL1 | ROHM |
Description: ROHM - R6009JND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.585 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V Verlustleistung: 125W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 15V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.585ohm |
auf Bestellung 44 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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R6009JND3TL1 | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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R6009JND3TL1 | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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R6009JND3TL1 | ROHM |
Description: ROHM - R6009JND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.585 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V Verlustleistung: 125W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 15V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.585ohm |
auf Bestellung 44 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 44 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| R6009JND3TL1 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 97 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 71+ | 2.48 EUR |
| R6009JND3TL1 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 4.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 1.38mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 4.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 1.38mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 100 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2500+ | 2.48 EUR |
| R6009JND3TL1 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 1.38mA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 4.5A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 1.38mA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 4.5A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 5.43 EUR |
| 10+ | 4.87 EUR |
| 100+ | 3.92 EUR |
| 500+ | 3.21 EUR |
| 1000+ | 2.67 EUR |
| R6009JND3TL1 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 61+ | 5.63 EUR |
| R6009JND3TL1 |
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Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 9A 3rd Gen, Fast Recover
MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 9A 3rd Gen, Fast Recover
auf Bestellung 2396 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 5.95 EUR |
| 10+ | 3.88 EUR |
| 100+ | 2.7 EUR |
| 500+ | 2.32 EUR |
| 1000+ | 2.31 EUR |
| R6009JND3TL1 |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - R6009JND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.585 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.585ohm
Description: ROHM - R6009JND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.585 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.585ohm
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| R6009JND3TL1 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| R6009JND3TL1 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| R6009JND3TL1 |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - R6009JND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.585 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.585ohm
Description: ROHM - R6009JND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.585 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.585ohm
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)