R6009JNXC7G Rohm Semiconductor
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 85+ | 2.06 EUR |
| 88+ | 1.96 EUR |
| 100+ | 1.76 EUR |
| 200+ | 1.68 EUR |
| 1000+ | 1.57 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details R6009JNXC7G Rohm Semiconductor
Description: ROHM - R6009JNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.45 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 53W, Bauform - Transistor: TO-220FM, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote R6009JNXC7G nach Preis ab 1.06 EUR bis 7.44 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
R6009JNXC7G | Rohm Semiconductor |
 Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO220FMPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 4.5A, 15V Power Dissipation (Max): 53W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 1.38mA Supplier Device Package: TO-220FM Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 100 V |
auf Bestellung 1899 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
|
|
R6009JNXC7G | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube |
auf Bestellung 1585 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
|
|
R6009JNXC7G | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube |
auf Bestellung 1585 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
 |
R6009JNXC7G | ROHM Semiconductor |
MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 9A 3rd Gen, Fast Recover |
auf Bestellung 1957 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
 |
R6009JNXC7G | ROHM |
Description: ROHM - R6009JNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.45 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V euEccn: NLR Verlustleistung: 53W Bauform - Transistor: TO-220FM Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
|
|
R6009JNXC7G | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube |
auf Bestellung 35 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 35 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| R6009JNXC7G |
|
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO220FM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 4.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 1.38mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO220FM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 4.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 1.38mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 100 V
auf Bestellung 1899 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 2.12 EUR |
| 50+ | 1.7 EUR |
| 100+ | 1.39 EUR |
| 500+ | 1.26 EUR |
| R6009JNXC7G |
|
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
auf Bestellung 1585 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 78+ | 2.25 EUR |
| 80+ | 2.12 EUR |
| 100+ | 2 EUR |
| 500+ | 1.06 EUR |
| R6009JNXC7G |
|
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
auf Bestellung 1585 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 78+ | 2.25 EUR |
| 79+ | 2.18 EUR |
| 100+ | 2.09 EUR |
| 500+ | 1.13 EUR |
| R6009JNXC7G |
|
Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 9A 3rd Gen, Fast Recover
MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 9A 3rd Gen, Fast Recover
auf Bestellung 1957 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 7.44 EUR |
| 10+ | 3.81 EUR |
| 100+ | 3.45 EUR |
| 500+ | 3.17 EUR |
| 1000+ | 3.08 EUR |
| 2000+ | 2.95 EUR |
| R6009JNXC7G |
|
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - R6009JNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.45 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ROHM - R6009JNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.45 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| R6009JNXC7G |
|
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)