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Technische Details R6009RND3TL1 ROHM Semiconductor
Description: ROHM - R6009RND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.665 ohm, TO-252, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TO-252, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.665ohm, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote R6009RND3TL1 nach Preis ab 1.12 EUR bis 2.27 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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R6009RND3TL1 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
 Description: 600V 9A TO-252, PRESTOMOS WITH IPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 665mOhm @ 4.5A, 15V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 5.5mA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 100 V |
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R6009RND3TL1 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - R6009RND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.665 ohm, TO-252, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 7V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-252 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.665ohm SVHC: To Be Advised |
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R6009RND3TL1 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - R6009RND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.665 ohm, TO-252, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 7V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-252 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.665ohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 139 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| R6009RND3TL1 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| R6009RND3TL1 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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R6009RND3TL1 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: 600V 9A TO-252, PRESTOMOS WITH I Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 665mOhm @ 4.5A, 15V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 5.5mA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 100 V |
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