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R6009RND3TL1 Rohm Semiconductor


r6009rnd3tl1-e.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: 600V 9A TO-252, PRESTOMOS WITH I
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 665mOhm @ 4.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 5.5mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 100 V
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Technische Details R6009RND3TL1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - R6009RND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.665 ohm, TO-252, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 7V, Verlustleistung: 125W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-252, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.665ohm.

Weitere Produktangebote R6009RND3TL1 nach Preis ab 1.39 EUR bis 5.27 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
R6009RND3TL1 R6009RND3TL1 ROHM Semiconductor r6009rnd3tl1-e.pdf MOSFETs TO252 650V 27A N-CH MOSFET
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R6009RND3TL1 R6009RND3TL1 ROHM r6009rnd3tl1-e.pdf Description: ROHM - R6009RND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.665 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 7V
Verlustleistung: 125W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.665ohm
auf Bestellung 139 Stücke:
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119+1.81 EUR
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R6009RND3TL1 R6009RND3TL1 ROHM r6009rnd3tl1-e.pdf Description: ROHM - R6009RND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.665 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
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Dauer-Drainstrom Id: 9A
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Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 7V
Verlustleistung: 125W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.665ohm
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R6009RND3TL1 Rohm Semiconductor r6009rnd3tl1-e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - R6009RND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.665 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
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Rds(on)-Prüfspannung: 15V
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - R6009RND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.665 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 7V
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SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.665ohm
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auf Bestellung 100 Stücke:
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