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R6009RND3TL1

R6009RND3TL1 Rohm Semiconductor

r6009rnd3tl1-e.pdf Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: 600V 9A TO-252, PRESTOMOS WITH I
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 665mOhm @ 4.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 5.5mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 100 V
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Technische Details R6009RND3TL1 Rohm Semiconductor

Description: 600V 9A TO-252, PRESTOMOS WITH I, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 665mOhm @ 4.5A, 15V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 5.5mA, Supplier Device Package: TO-252, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 100 V.

Weitere Produktangebote R6009RND3TL1 nach Preis ab 1.14 EUR bis 2.55 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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R6009RND3TL1 R6009RND3TL1 Hersteller : ROHM Semiconductor r6009rnd3tl1_e-3105123.pdf MOSFET POWER MOSFET SUITABLE F/SWITCH
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R6009RND3TL1 R6009RND3TL1 Hersteller : Rohm Semiconductor r6009rnd3tl1-e.pdf Description: 600V 9A TO-252, PRESTOMOS WITH I
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 665mOhm @ 4.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 5.5mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 100 V
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250+ 1.74 EUR
500+ 1.52 EUR
1000+ 1.26 EUR
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R6009RND3TL1 Hersteller : Rohm Semiconductor r6009rnd3tl1-e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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79+1.98 EUR
87+ 1.74 EUR
107+ 1.37 EUR
200+ 1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 79
R6009RND3TL1 Hersteller : Rohm Semiconductor r6009rnd3tl1-e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
74+2.13 EUR
100+ 1.97 EUR
Mindestbestellmenge: 74