R6012JNXC7G Rohm Semiconductor


r6012jnx-e.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
auf Bestellung 1011 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
79+2.21 EUR
86+2.01 EUR
100+1.92 EUR
500+1.77 EUR
1000+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 79 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details R6012JNXC7G Rohm Semiconductor

Description: ROHM - R6012JNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.3 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 60W, Bauform - Transistor: TO-220FM, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Weitere Produktangebote R6012JNXC7G nach Preis ab 3.17 EUR bis 5.72 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
R6012JNXC7G R6012JNXC7G ROHM Semiconductor MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 12A 3rd Gen, Fast Recover
auf Bestellung 1723 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.92 EUR
10+3.83 EUR
100+3.67 EUR
500+3.42 EUR
1000+3.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6012JNXC7G R6012JNXC7G Rohm Semiconductor r6012jnx-e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+5.72 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6012JNXC7G R6012JNXC7G ROHM r6012jnx-e.pdf Description: ROHM - R6012JNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.3 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6012JNXC7G
Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 12A 3rd Gen, Fast Recover
auf Bestellung 1723 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+3.92 EUR
10+3.83 EUR
100+3.67 EUR
500+3.42 EUR
1000+3.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6012JNXC7G r6012jnx-e.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
38+5.72 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6012JNXC7G r6012jnx-e.pdf
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - R6012JNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.3 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH