R6012JNXC7G Rohm Semiconductor
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Technische Details R6012JNXC7G Rohm Semiconductor
Description: ROHM - R6012JNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.3 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 60W, Bauform - Transistor: TO-220FM, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote R6012JNXC7G nach Preis ab 3.06 EUR bis 6.3 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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R6012JNXC7G | Hersteller : Rohm Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube |
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R6012JNXC7G | Hersteller : ROHM Semiconductor | MOSFET Nch 600V 12A Power MOSFET. R6012JNX is a power MOSFET with fast reverse recovery time (trr), suitable for the switching applications. |
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R6012JNXC7G | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - R6012JNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.3 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: TO-220FM Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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| R6012JNXC7G | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 36A; 60W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12A Pulsed drain current: 36A Power dissipation: 60W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 390mΩ Mounting: THT Gate charge: 28nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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R6012JNXC7G | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220FM Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 6A, 15V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 2.5mA Supplier Device Package: TO-220FM Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 100 V |
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| R6012JNXC7G | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 36A; 60W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12A Pulsed drain current: 36A Power dissipation: 60W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 390mΩ Mounting: THT Gate charge: 28nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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