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R6013VND3TL1

R6013VND3TL1 ROHM

r6013vnd3tl1-e.pdf
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - R6013VND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.3 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V
Verlustleistung: 131W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
auf Bestellung 2337 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.02 EUR
500+2.52 EUR
1000+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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Technische Details R6013VND3TL1 ROHM

Description: ROHM - R6013VND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.3 ohm, TO-252, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V, Verlustleistung: 131W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-252, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
R6013VND3TL1 R6013VND3TL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=R6013VND3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 600V 13A TO-252, PRESTOMOS WITH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 3A, 15V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 100 V
auf Bestellung 2145 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.52 EUR
10+3.37 EUR
25+3.08 EUR
100+2.76 EUR
250+2.61 EUR
500+2.52 EUR
1000+2.44 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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R6013VND3TL1 R6013VND3TL1 ROHM Semiconductor datasheet?p=R6013VND3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs TO252 650V 39A N-CH MOSFET
auf Bestellung 5047 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.74 EUR
10+3.17 EUR
100+2.75 EUR
500+2.68 EUR
1000+2.64 EUR
2500+2.51 EUR
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R6013VND3TL1 R6013VND3TL1 ROHM r6013vnd3tl1-e.pdf Description: ROHM - R6013VND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.3 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
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Dauer-Drainstrom Id: 13A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V
Verlustleistung: 131W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
auf Bestellung 2337 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+6.77 EUR
54+4.32 EUR
100+3.02 EUR
500+2.52 EUR
1000+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
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R6013VND3TL1 Rohm Semiconductor r6013vnd3tl1-e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 196 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
84+2.08 EUR
88+1.95 EUR
100+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 84 Stücke
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R6013VND3TL1 datasheet?p=R6013VND3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
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Description: 600V 13A TO-252, PRESTOMOS WITH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 3A, 15V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
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Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 100 V
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5+4.52 EUR
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250+2.61 EUR
500+2.52 EUR
1000+2.44 EUR
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MOSFETs TO252 650V 39A N-CH MOSFET
auf Bestellung 5047 Stücke:
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10+3.17 EUR
100+2.75 EUR
500+2.68 EUR
1000+2.64 EUR
2500+2.51 EUR
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R6013VND3TL1
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - R6013VND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.3 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V
Verlustleistung: 131W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
auf Bestellung 2337 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
37+6.77 EUR
54+4.32 EUR
100+3.02 EUR
500+2.52 EUR
1000+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
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R6013VND3TL1 r6013vnd3tl1-e.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 196 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
84+2.08 EUR
88+1.95 EUR
100+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 84 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH