R6018JNJGTL Rohm Semiconductor
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 48+ | 3.13 EUR |
| 50+ | 2.91 EUR |
| 100+ | 2.70 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details R6018JNJGTL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - R6018JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.22 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 220W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 220W, Bauform - Transistor: TO-263S, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.22ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote R6018JNJGTL nach Preis ab 1.96 EUR bis 8.47 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
R6018JNJGTL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
R6018JNJGTL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R |
auf Bestellung 90 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
R6018JNJGTL | Hersteller : ROHM Semiconductor |
MOSFETs R6018JNJ is a power MOSFET for switching applications. |
auf Bestellung 1025 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
R6018JNJGTL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 600V 18A LPTS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 286mOhm @ 9A, 15V Power Dissipation (Max): 220W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 4.2mA Supplier Device Package: LPTS Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 100 V |
auf Bestellung 502 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
R6018JNJGTL | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - R6018JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.22 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 220W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V euEccn: NLR Verlustleistung: 220W Bauform - Transistor: TO-263S Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.22ohm Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||
|
|
R6018JNJGTL | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - R6018JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.22 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES Verlustleistung: 220W Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||
|
|
R6018JNJGTL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 600V 18A LPTS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 286mOhm @ 9A, 15V Power Dissipation (Max): 220W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 4.2mA Supplier Device Package: LPTS Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 100 V |
Produkt ist nicht verfügbar |