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R6018VNXC7G

R6018VNXC7G ROHM Semiconductor

datasheet?p=R6018VNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFET 600V 10A INTEGRATED HIGH-SPEE
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Technische Details R6018VNXC7G ROHM Semiconductor

Description: 600V 10A TO-220FM, PRESTOMOS WIT, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 204mOhm @ 4A, 15V, Power Dissipation (Max): 61W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 600µA, Supplier Device Package: TO-220FM, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 100 V.

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R6018VNXC7G R6018VNXC7G Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=R6018VNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 600V 10A TO-220FM, PRESTOMOS WIT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 204mOhm @ 4A, 15V
Power Dissipation (Max): 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 600µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 100 V
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R6018VNXC7G R6018VNXC7G Hersteller : Rohm Semiconductor r6018vnxc7g-e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
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