Produkte > ROHM SEMICONDUCTOR > R6020JNZ4C13
R6020JNZ4C13

R6020JNZ4C13 ROHM Semiconductor


datasheet?p=R6020JNZ4&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFET R6020JNZ4 is a power MOSFET with fast reverse recovery time (trr), suitable for the switching applications.
auf Bestellung 556 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+13.29 EUR
10+ 11.65 EUR
25+ 10.12 EUR
100+ 9.49 EUR
250+ 8.38 EUR
600+ 7.55 EUR
1200+ 7.18 EUR
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details R6020JNZ4C13 ROHM Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO247G, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 234mOhm @ 10A, 15V, Power Dissipation (Max): 252W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 3.5mA, Supplier Device Package: TO-247G, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V.

Weitere Produktangebote R6020JNZ4C13 nach Preis ab 9.69 EUR bis 13.57 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
R6020JNZ4C13 R6020JNZ4C13 Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=R6020JNZ4&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO247G
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 234mOhm @ 10A, 15V
Power Dissipation (Max): 252W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 3.5mA
Supplier Device Package: TO-247G
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
auf Bestellung 355 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+13.57 EUR
10+ 11.63 EUR
100+ 9.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2
R6020JNZ4C13 R6020JNZ4C13 Hersteller : ROHM r6020jnz4c13-e.pdf Description: ROHM - R6020JNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.18 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 76W
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)