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R6020KNJTL

R6020KNJTL Rohm Semiconductor

datasheet?p=R6020KNJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 20A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
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Technische Details R6020KNJTL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - R6020KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.196 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, Verlustleistung: 231W, SVHC: Lead (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: TO-263S, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.196ohm.

Weitere Produktangebote R6020KNJTL nach Preis ab 2.59 EUR bis 12.45 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
R6020KNJTL R6020KNJTL Rohm Semiconductor r6020knjtl-e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
auf Bestellung 69 Stücke:
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49+3.74 EUR
51+3.53 EUR
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R6020KNJTL R6020KNJTL Rohm Semiconductor r6020knjtl-e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
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43+4.19 EUR
52+3.43 EUR
100+2.87 EUR
200+2.67 EUR
500+2.59 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
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R6020KNJTL R6020KNJTL ROHM datasheet?p=R6020KNJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - R6020KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.196 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 231W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.196ohm
auf Bestellung 895 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+5.52 EUR
500+4.74 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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R6020KNJTL R6020KNJTL ROHM Semiconductor datasheet?p=R6020KNJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Nch 600V 20A Si MOSFET
auf Bestellung 317 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.59 EUR
10+4.44 EUR
100+4.02 EUR
500+3.45 EUR
1000+3.27 EUR
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R6020KNJTL R6020KNJTL Rohm Semiconductor datasheet?p=R6020KNJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 600V 20A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
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Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
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Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
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R6020KNJTL R6020KNJTL ROHM datasheet?p=R6020KNJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - R6020KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.196 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 231W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.196ohm
auf Bestellung 895 Stücke:
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
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R6020KNJTL datasheet?p=R6020KNJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6020KNJTL
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - R6020KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.196 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
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Dauer-Drainstrom Id: 20A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
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SVHC: Lead (23-Jan-2024)
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MOSFETs Nch 600V 20A Si MOSFET
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R6020KNJTL
Hersteller: Rohm Semiconductor
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
auf Bestellung 3286 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+8.76 EUR
10+5.77 EUR
100+4.09 EUR
500+3.52 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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R6020KNJTL
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - R6020KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.196 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
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Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 231W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.196ohm
auf Bestellung 895 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
21+12.45 EUR
29+8.14 EUR
100+5.52 EUR
500+4.74 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH