Produkte > ROHM SEMICONDUCTOR > R6020PNJFRATL
R6020PNJFRATL

R6020PNJFRATL Rohm Semiconductor

r6020pnjfra-e.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 20A Automotive 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
26+6.79 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details R6020PNJFRATL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - R6020PNJFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.19 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 304W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 304W, Bauform - Transistor: TO-263S, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.19ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Weitere Produktangebote R6020PNJFRATL nach Preis ab 6.06 EUR bis 15.45 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
R6020PNJFRATL R6020PNJFRATL ROHM Semiconductor datasheet?p=R6020PNJFRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Nch 600V Vdss 20A ID TO-263(D2PAK); LPTS
auf Bestellung 608 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.16 EUR
10+9.07 EUR
100+7.35 EUR
500+7.14 EUR
1000+6.07 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6020PNJFRATL R6020PNJFRATL Rohm Semiconductor datasheet?p=R6020PNJFRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 600V 20A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 304W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 848 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.08 EUR
10+10.22 EUR
100+7.47 EUR
500+7.28 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6020PNJFRATL R6020PNJFRATL ROHM r6020pnjfratl-e.pdf Description: ROHM - R6020PNJFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.19 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 304W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 304W
Bauform - Transistor: TO-263S
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.19ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1886 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+15.45 EUR
22+10.72 EUR
100+7.47 EUR
500+6.32 EUR
1000+6.06 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6020PNJFRATL R6020PNJFRATL ROHM r6020pnjfratl-e.pdf Description: ROHM - R6020PNJFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.19 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 304W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1886 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+15.45 EUR
22+10.72 EUR
100+7.47 EUR
500+6.32 EUR
1000+6.06 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6020PNJFRATL datasheet?p=R6020PNJFRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6020PNJFRATL
Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs Nch 600V Vdss 20A ID TO-263(D2PAK); LPTS
auf Bestellung 608 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+14.16 EUR
10+9.07 EUR
100+7.35 EUR
500+7.14 EUR
1000+6.07 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6020PNJFRATL datasheet?p=R6020PNJFRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6020PNJFRATL
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 20A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 304W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 848 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+15.08 EUR
10+10.22 EUR
100+7.47 EUR
500+7.28 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6020PNJFRATL r6020pnjfratl-e.pdf
R6020PNJFRATL
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - R6020PNJFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.19 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 304W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 304W
Bauform - Transistor: TO-263S
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.19ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1886 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
17+15.45 EUR
22+10.72 EUR
100+7.47 EUR
500+6.32 EUR
1000+6.06 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6020PNJFRATL r6020pnjfratl-e.pdf
R6020PNJFRATL
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - R6020PNJFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.19 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 304W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1886 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
17+15.45 EUR
22+10.72 EUR
100+7.47 EUR
500+6.32 EUR
1000+6.06 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH