Produkte > ROHM SEMICONDUCTOR > R6020YNZ4C13
R6020YNZ4C13

R6020YNZ4C13 ROHM Semiconductor

r6020ynz4c13-e.pdf
Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs TO247 650V 60A N-CH MOSFET
auf Bestellung 586 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+6.85 EUR
25+6.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details R6020YNZ4C13 ROHM Semiconductor

Description: ROHM - R6020YNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.185 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V, Verlustleistung: 182W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm.

Weitere Produktangebote R6020YNZ4C13 nach Preis ab 3.24 EUR bis 13.65 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
R6020YNZ4C13 R6020YNZ4C13 Rohm Semiconductor r6020ynz4c13-e.pdf Description: NCH 600V 20A, TO-247, POWER MOSF
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Supplier Device Package: TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1.65mA
Power Dissipation (Max): 182W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 6A, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 563 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.48 EUR
30+4.69 EUR
120+3.84 EUR
510+3.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6020YNZ4C13 R6020YNZ4C13 ROHM r6020ynz4c13-e.pdf Description: ROHM - R6020YNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.185 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
Verlustleistung: 182W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
auf Bestellung 115 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+13.65 EUR
30+7.82 EUR
100+6.13 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6020YNZ4C13 Rohm Semiconductor r6020ynz4c13-e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+4.64 EUR
50+3.47 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6020YNZ4C13 Rohm Semiconductor r6020ynz4c13-e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+5.37 EUR
36+4.78 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6020YNZ4C13 r6020ynz4c13-e.pdf
R6020YNZ4C13
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: NCH 600V 20A, TO-247, POWER MOSF
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Supplier Device Package: TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1.65mA
Power Dissipation (Max): 182W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 6A, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 563 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+8.48 EUR
30+4.69 EUR
120+3.84 EUR
510+3.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6020YNZ4C13 r6020ynz4c13-e.pdf
R6020YNZ4C13
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - R6020YNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.185 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
Verlustleistung: 182W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
auf Bestellung 115 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
19+13.65 EUR
30+7.82 EUR
100+6.13 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6020YNZ4C13 r6020ynz4c13-e.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
38+4.64 EUR
50+3.47 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6020YNZ4C13 r6020ynz4c13-e.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
33+5.37 EUR
36+4.78 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH