R6024ENZC17

R6024ENZC17 Rohm Semiconductor


r6024enzc17-e.pdf Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
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Technische Details R6024ENZC17 Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 600V 24A TO3PF, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 120W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-3PF, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V.

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R6024ENZC17 R6024ENZC17 Hersteller : Rohm Semiconductor r6024enzc17-e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
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R6024ENZC17 R6024ENZC17 Hersteller : ROHM Semiconductor datasheet?p=R6024ENZ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs 600V 24A TO-3PF, Low-noise Power MOSFET
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R6024ENZC17 R6024ENZC17 Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=R6024ENZ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 600V 24A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
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